توضیحاتی در مورد کتاب Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
نام کتاب : Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته)
سری :
نویسندگان : A. Dimoulas, E. Gusev, P.C. McIntyre, M. Heyns
ناشر : Springer
سال نشر : 2007
تعداد صفحات : 397
ISBN (شابک) : 3540714901 , 9783540714903
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 9 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
این کتاب یک تک نگاری جامع در مورد پشته های دروازه در فناوری نیمه هادی ارائه می دهد. این آخرین پیشرفت ها و مبانی اصلی را پوشش می دهد و به عنوان یک کار مرجع برای محققان، مهندسان و دانشجویان فارغ التحصیل مفید خواهد بود. قبل از اینکه به فناوری Ge و III-V MOS بادوام نزدیکتر شویم، خواننده دید واضحی از آنچه تاکنون انجام شده است، آخرین پیشرفتها و چالشهای اصلی پیش رو خواهد داشت.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages I-XXII
Strained-Si CMOS Technology....Pages 1-19
High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface....Pages 21-41
Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials....Pages 43-72
Passivation and Characterization of Germanium Surfaces....Pages 73-113
Interface Engineering for High-κ Ge MOSFETs....Pages 115-138
Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High-κ/Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices....Pages 139-164
Modeling of Growth of High-κ Oxides on Semiconductors....Pages 165-179
Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High-κ Dielectrics on Ge and GaAs....Pages 181-209
Point Defects in Stacks of High-κ Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case....Pages 211-228
High κ Gate Dielectrics for Compound Semiconductors....Pages 229-256
Interface Properties of High-κ Dielectrics on Germanium....Pages 257-267
A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High-κ Materials and Films....Pages 269-292
Germanium Nanodevices and Technology....Pages 293-313
Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs....Pages 315-332
Germanium Deep-Submicron p -FET and n -FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates....Pages 333-340
Processing and Characterization of III–V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics....Pages 341-361
Fabrication of MBE High-κ MOSFETs in a Standard CMOS Flow....Pages 363-374
Back Matter....Pages 375-383
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.