Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)

دانلود کتاب Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)

59000 تومان موجود

کتاب پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته) نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته) بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 8


توضیحاتی در مورد کتاب Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)

نام کتاب : Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته)
سری :
نویسندگان : , , ,
ناشر : Springer
سال نشر : 2007
تعداد صفحات : 397
ISBN (شابک) : 3540714901 , 9783540714903
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 9 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :


این کتاب یک تک نگاری جامع در مورد پشته های دروازه در فناوری نیمه هادی ارائه می دهد. این آخرین پیشرفت ها و مبانی اصلی را پوشش می دهد و به عنوان یک کار مرجع برای محققان، مهندسان و دانشجویان فارغ التحصیل مفید خواهد بود. قبل از اینکه به فناوری Ge و III-V MOS بادوام نزدیک‌تر شویم، خواننده دید واضحی از آنچه تاکنون انجام شده است، آخرین پیشرفت‌ها و چالش‌های اصلی پیش رو خواهد داشت.

فهرست مطالب :


Front Matter....Pages I-XXII
Strained-Si CMOS Technology....Pages 1-19
High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface....Pages 21-41
Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials....Pages 43-72
Passivation and Characterization of Germanium Surfaces....Pages 73-113
Interface Engineering for High-κ Ge MOSFETs....Pages 115-138
Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High-κ/Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices....Pages 139-164
Modeling of Growth of High-κ Oxides on Semiconductors....Pages 165-179
Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High-κ Dielectrics on Ge and GaAs....Pages 181-209
Point Defects in Stacks of High-κ Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case....Pages 211-228
High κ Gate Dielectrics for Compound Semiconductors....Pages 229-256
Interface Properties of High-κ Dielectrics on Germanium....Pages 257-267
A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High-κ Materials and Films....Pages 269-292
Germanium Nanodevices and Technology....Pages 293-313
Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs....Pages 315-332
Germanium Deep-Submicron p -FET and n -FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates....Pages 333-340
Processing and Characterization of III–V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics....Pages 341-361
Fabrication of MBE High-κ MOSFETs in a Standard CMOS Flow....Pages 363-374
Back Matter....Pages 375-383

توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.



پست ها تصادفی