دانلود کتاب Towards the First Silicon Laser
کتاب به سمت اولین لیزر سیلیکونی نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب به سمت اولین لیزر سیلیکونی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Towards the First Silicon Laser
نام کتاب : Towards the First Silicon Laser
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : به سمت اولین لیزر سیلیکونی
سری : NATO Science Series 93
نویسندگان : Martin A. Green, Jianhua Zhao, Aihua Wang, Thorsten Trupke (auth.), Lorenzo Pavesi, Sergey Gaponenko, Luca Dal Negro (eds.)
ناشر : Springer Netherlands
سال نشر : 2003
تعداد صفحات : 494
ISBN (شابک) : 9781402011948 , 9789401001496
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 19 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
سیلیکون، ماده پیشرو در میکروالکترونیک در چهار دهه گذشته، همچنین وعده داده است که ماده کلیدی در آینده باشد. علیرغم بسیاری از ادعاها مبنی بر اینکه فناوری سیلیکون به محدودیت های اساسی رسیده است، عملکرد میکروالکترونیک سیلیکونی به طور پیوسته بهبود می یابد. تقریباً برای همه برنامه هایی که Si برای آنها نامناسب در نظر گرفته شده است، همین امر صادق است. استثنای اصلی این روند مثبت، لیزر سیلیکونی است که تا به امروز نشان داده نشده است. دلیل اصلی این امر ناشی از یک محدودیت اساسی مربوط به ماهیت غیر مستقیم شکاف باند Si است. در گذشته نزدیک، رویکردهای مختلفی برای دستیابی به این هدف اتخاذ شده است: سیلیکون جابجا شده، سیلیکون بسیار خالص، نانوبلورهای سیلیکونی، سیلیکون متخلخل، Er doped Si-Ge، آلیاژهای SiGe و چاه های چند کوانتومی، نقاط کوانتومی SiGe، ساختارهای آبشاری کوانتومی SiGe، مراکز ناخالصی کم عمق در سیلیکون و سیلیکون دوپ شده Er. همه اینها در کتاب حاضر به وفور نشان داده شده است.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages i-xiv
High Efficiency Silicon Light Emitting Diodes....Pages 1-10
Dislocation-Based Silicon Light Emitting Devices....Pages 11-20
Efficient Electroluminescence In Alloyed Silicon Diodes....Pages 21-28
Light Emitting Devices Based On Silicon Nanocrystals....Pages 29-43
Optical And Electrical Characteristics Of Leds Fabricated From Si-Nanocrystals Embedded In Sio 2 ....Pages 45-54
Electroluminescence In Si/Sio 2 Layers....Pages 55-60
Reverse Biased Porous Silicon Light Emitting Diodes....Pages 61-68
Strong Blue Light Emission From Ion Implanted Si/Sio 2 Structures....Pages 69-78
Si/Ge Nanostructures For Led....Pages 79-88
Optical Spectroscopy Of Single Quantum Dots....Pages 89-108
Luminescence From Si/Sio 2 Nanostructures....Pages 109-122
Electronic And Dielectric Properties Of Porous Silicon....Pages 123-130
Silicon Technology Used For Size-Controlled Silicon Nanocrystals....Pages 131-138
Structural And Optical Properties Of Silicon Nanocrystals Embedded In Silicon Oxide Films....Pages 139-144
Stimulated Emission In Silicon Nanocrystals Gain Measurement And Rate Equation Modelling....Pages 145-164
Lasing Effects In Ultrasmall Silicon Nanoparticles....Pages 165-180
On Fast Optical Gain In Silicon Nanostructures....Pages 181-190
Experimental Observation Of Optical Amplification In Silicon Nanocrystals....Pages 191-196
Optical Amplification In Nanocrystalline Silicon Superlattices....Pages 197-208
Optical Gain From Silicon Nanocrystals A critical perspectives....Pages 209-222
Optical Gain Measurements With Variable Stripe Length Technique....Pages 223-242
Theory Of Silicon Nanocrystals....Pages 243-260
Gain Theory And Models In Silicon Nanostructures....Pages 261-280
Si-Ge Quantum Dot Laser: What Can We Learn From III-V Experience?....Pages 281-292
Promising Sige Superlattice And Quantum Well Laser Candidates....Pages 293-306
Optical Properties Of Arrays Of Ge/Si Quantum Dots In Electric Field....Pages 307-314
Mbe Of Si — Ge Heterostructures With Ge Nanocrystals....Pages 315-323
Strain Compensated Si/Sige Quantum Cascade Emitters Grown On Sige Pseudosubstrates....Pages 325-330
Terahertz Silicon Lasers....Pages 331-340
Silicon Lasers Based On Shallow Donor Centres....Pages 341-350
Resonant States In Modulation Doped Sige Heterostructures As A Source Of Thz Lasing....Pages 351-358
Thz Lasing Of Strained P-Ge And Si/Ge Structures....Pages 359-366
Terahertz Emission From Silicon-Germanium Quantum Cascades....Pages 367-382
Towards An Er-Doped Si Nanocrystal Sensitized Waveguide Laser — The Thin Line Between Gain And Loss....Pages 383-400
Optical Gain Using Nanocrystal Sensitized Erbium: Nato-Series....Pages 401-420
Excitation Mechanism of Er Photoluminescence in Bulk Si And SiO 2 With Nanocrystals....Pages 421-428
SiGe/Si:Er Light Emitting Transistors....Pages 429-444
Smbe Grown Uniformly And Selectively Doped Si:Er Structures For Leds And Lasers....Pages 445-454
Uv-Blue Lasers Based on Ingan/Gan/Al 2 O 3 and on Ingan/Gan/Si Heterostructures....Pages 455-464
Silicon Microphotonics: The Next Killer Technology....Pages 465-476
Back Matter....Pages 477-482
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Silicon, the leading material in microelectronics during the last four decades, also promises to be the key material in the future. Despite many claims that silicon technology has reached fundamental limits, the performance of silicon microelectronics continues to improve steadily. The same holds for almost all the applications for which Si was considered to be unsuitable. The main exception to this positive trend is the silicon laser, which has not been demonstrated to date. The main reason for this comes from a fundamental limitation related to the indirect nature of the Si band-gap. In the recent past, many different approaches have been taken to achieve this goal: dislocated silicon, extremely pure silicon, silicon nanocrystals, porous silicon, Er doped Si-Ge, SiGe alloys and multiquantum wells, SiGe quantum dots, SiGe quantum cascade structures, shallow impurity centers in silicon and Er doped silicon. All of these are abundantly illustrated in the present book.