توضیحاتی در مورد کتاب 3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing
نام کتاب : 3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing
عنوان ترجمه شده به فارسی : دستگاه های آی سی سه بعدی، فناوری ها و ساخت
سری : SPIE Press Monographs
نویسندگان : Hong Xiao
ناشر : SPIE Press
سال نشر : 2016
تعداد صفحات : 198
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 34 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
فرآیند مقیاسبندی تراشههای مدار مجتمع (IC) با افزایش اندازه ویژگی به گرههای فناوری نانومتری چالشبرانگیزتر شده است. به منظور گسترش مقیاس، مهندسان و دانشمندان تلاش کرده اند نه تنها اندازه ویژگی را در جهت های x و y کوچک کنند، بلکه دستگاه های IC را به بعد سوم نیز سوق دهند. این کتاب مزایای دستگاههای سهبعدی و کاربردهای آنها را در حافظههای با دسترسی تصادفی پویا (DRAM)، فلش 3D-NAND و آی سیهای CMOS گره با فناوری پیشرفته مورد بحث قرار میدهد. موضوعات عبارتند از توسعه ترانزیستورهای سلول DRAM و خازنهای گره ذخیرهسازی، فرآیند تولید دستگاههای آی سی DRAM 3D FinFET CMOS با خط پیشرفته مدفون، روندهای مقیاسبندی دستگاههای منطقی CMOS که ممکن است در عصر «پس از CMOS» و فناوریهای سه بعدی استفاده شوند. مانند ادغام فرآیند 3 بعدی ویفر بسته بندی 3 بعدی سیلیکون-رو-ILD و TSV.
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
The process of scaling integrated circuit (IC) chips has become more challenging as the feature size has been pushed into nanometer-technology nodes. In order to extend the scaling, engineers and scientists have attempted to not only shrink the feature size in x and y directions but also push IC devices into the third dimension. This book discusses the advantages of 3D devices and their applications in dynamic random access memory (DRAM), 3D-NAND flash, and advanced-technology-node CMOS ICs. Topics include the development of DRAM cell transistors and storage node capacitors the manufacturing process of advanced buried-word-line DRAM 3D FinFET CMOS IC devices scaling trends of CMOS logic devices that may be used in the «post-CMOS» era and 3D technologies, such as the 3D-wafer process integration of silicon-on-ILD and TSV-based 3D packaging.