Advances in Solid State Physics 35

دانلود کتاب Advances in Solid State Physics 35

53000 تومان موجود

کتاب پیشرفت در فیزیک حالت جامد 35 نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب پیشرفت در فیزیک حالت جامد 35 بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 2


توضیحاتی در مورد کتاب Advances in Solid State Physics 35

نام کتاب : Advances in Solid State Physics 35
عنوان ترجمه شده به فارسی : پیشرفت در فیزیک حالت جامد 35
سری : Advances in Solid State Physics 35
نویسندگان : , , ,
ناشر : Springer Berlin Heidelberg
سال نشر : 1995
تعداد صفحات : 323
ISBN (شابک) : 9783528080433 , 9783540753346
زبان کتاب : German
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 8 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.


فهرست مطالب :


Recent advances in the growth, doping and characterization of III–V nitride thin films....Pages 1-24
Native defects and impurities in GaN....Pages 25-44
Semimagnetic semiconductor heterostructures and superlattices....Pages 45-64
Selection rules for spectroscopy of quantum dots....Pages 65-80
Spectroscopy on field-effect induced quantum wires and quantum dots....Pages 81-102
Self-ordered quantum dots: A new growth mode on high-index semiconductor surfaces....Pages 103-122
Pseudomorphic InAs/GaAs quantum dots on low index planes....Pages 123-154
GaAs/AlGaAs quantum wire lasers and other low-dimensional structures fabricated by cleaved edge overgrowth....Pages 155-174
Dynamics of optical excitations in quantum dots of wide-gap semiconductors....Pages 175-196
Investigation of the coulomb blockade in a parallel quantum dot geometry....Pages 197-214
Zero-bias anomalies and boson-assisted transport through small quantum dots....Pages 215-228
Single-electron trapping at semiconductor interfaces....Pages 229-242
Transport studies of Al x Ga 1−x As/GaAs quantum heterostructures using BEEM....Pages 243-256
Atomic resolution with a megavolt electron microscope....Pages 257-276
Surface modifications due to strain relaxation in lattice-mismatched heteroepitaxy....Pages 277-302
Scanning probe microscopy with “chemical sensitivity”....Pages 303-320




پست ها تصادفی