دانلود کتاب کاربید سیلیکون آمورف و کریستالی IV: مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی، سانتا کلارا، کالیفرنیا، 9 تا 11 اکتبر 1991 بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
نام کتاب : Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9–11, 1991
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : کاربید سیلیکون آمورف و کریستالی IV: مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی، سانتا کلارا، کالیفرنیا، 9 تا 11 اکتبر 1991
سری : Springer Proceedings in Physics 71
نویسندگان : H. Matsunami (auth.), Professor Dr. Cary Y. Yang, Professor Dr. M. Mahmudur Rahman, Professor Dr. Gary L. Harris (eds.)
ناشر : Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر : 1992
تعداد صفحات : 438
ISBN (شابک) : 9783642848063 , 9783642848049
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 19 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
کاربید سیلیکون و سایر مواد گروه IV-IV در فرم های آمورف ، میکروکریستالی و کریستالی آنها دارای طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی هستند. سهم در این جلد گزارش تحولات و روندهای اخیر در این زمینه را گزارش می کند. هدف این است که وضعیت فعلی درک مواد و کاربردهای بالقوه آنها را در دسترس قرار دهیم. هر کنکور بر روی یک موضوع خاص ، مانند روشهای آماده سازی ، خصوصیات و مدل هایی که یافته های تجربی را توضیح می دهد ، تمرکز دارد. این حجم همچنین شامل آخرین نتایج در زمینه هیجان انگیز ترانزیستورهای دو قطبی SIGE/SI HeteroJunction است. خواننده این کتاب را به عنوان منبع مرجع ، یک نمای کلی به روز و عمیق از این زمینه و از همه مهمتر به عنوان پنجره ای به طیف گسترده ای از کاربردهای بالقوه خواندن کاربید سیلیکون ، ارزشمند خواهد یافت. این برای دانشمندان ، مهندسان و دانش آموزان علاقمند به مواد الکترونیکی ، دستگاه های ناهمگن با سرعت بالا و نوری با درجه حرارت بالا ضروری است.
Silicon carbide and other group IV-IV materials in their amorphous, microcrystalline, and crystalline forms have a wide variety of applications.The contributions to this volume report recent developments and trends in the field. The purpose is to make available the current state of understanding of the materials and their potential applications. Eachcontribution focuses on a particular topic, such as preparation methods, characterization, and models explaining experimental findings. The volume also contains the latest results in the exciting field of SiGe/Si heterojunction bipolar transistors. The reader will find this book valuable as a reference source, an up-to-date and in-depth overview of this field, and, most importantly, as a window into the immense range of reading potential applications of silicon carbide. It is essential for scientists, engineers and students interested in electronic materials, high-speed heterojunction devices, and high-temperature optoelectronics.