دانلود کتاب جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
نام کتاب : Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی
سری : Springer Series in Materials Science 167
نویسندگان : Sitangshu Bhattacharya, Kamakhya Prasad Ghatak (auth.)
ناشر : Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر : 2013
تعداد صفحات : 548
ISBN (شابک) : 9783642312472 , 9783642312489
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 8 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.