دانلود کتاب Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors
کتاب خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors
نام کتاب : Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors
ویرایش : 1st ed.
عنوان ترجمه شده به فارسی : خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها
سری : Springer Theses
نویسندگان : Mengqi Fu
ناشر : Springer Singapore
سال نشر : 2018
تعداد صفحات : 113
ISBN (شابک) : 9789811334436 , 9789811334443
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 6 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
این کتاب به بررسی تأثیرات پارامترهای مهم مواد بر روی خصوصیات الکتریکی نانوسیمهای ایندیم آرسنید (INAS) می پردازد ، که به دلیل باند کوچک و تحرک الکترونی بالا ، یک کانال امیدوار کننده را برای دستگاه های الکترونیکی کم قدرت ارائه می دهند. به منظور کاهش دستگاه های الکترونیکی و بهبود عملکرد آنها ، نانوسیم های قطر کوچکتر مورد نیاز هستند. با این حال ، تا به امروز خواص نانوسیم های نازک InAS و حساسیت آنها به عوامل مختلف مشخص نبود.
این کتاب اولین مطالعه از نانوسیم های Ultrathin Inas با قطر زیر 10 نانومتر را ارائه می دهد ، برای اولین بار ، ایجاد کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و همبستگی بین قطر نانوذرات و عملکرد دستگاه. علاوه بر این ، این یک روش جدید برای ارتباط مستقیم ساختار سطح اتمی با خواص نانوسیم های فردی و عملکرد دستگاه آنها ایجاد می کند. با استفاده از این روش ، خواص الکترونیکی نانوسیم های INAS و عملکرد FET که در آن استفاده می شود ، با فازهای کریستالی (Wurtzite ، روی مخلوط یا یک مرحله مخلوط) ، جهت محور و روش رشد تغییر می یابد. این یافته ها درک ما از نانوسیم های INAS را عمیق تر می کند و با کنترل پارامترهای مربوط به نانوسیم ها و دستگاه ها ، یک روش بالقوه برای عملکرد دستگاه را فراهم می کند.
فهرست مطالب :
Front Matter ....Pages i-xv
Introduction (Mengqi Fu)....Pages 1-29
Fabrication, Characterization and Parameter Extraction of InAs Nanowire-Based Device (Mengqi Fu)....Pages 31-51
The Impact of Quantum Confinement Effects on Electrical Properties of InAs Nanowires (Mengqi Fu)....Pages 53-63
Influence of Crystal Phase and Orientation on Electrical Properties of InAs Nanowires (Mengqi Fu)....Pages 65-84
Influence of Different Growth Methods on the Electrical Properties of InAs Nanowires (Mengqi Fu)....Pages 85-96
Summary and Outlook (Mengqi Fu)....Pages 97-98
Back Matter ....Pages 99-102
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
This book explores the impacts of important material parameters on the electrical properties of indium arsenide (InAs) nanowires, which offer a promising channel material for low-power electronic devices due to their small bandgap and high electron mobility. Smaller diameter nanowires are needed in order to scale down electronic devices and improve their performance. However, to date the properties of thin InAs nanowires and their sensitivity to various factors were not known.
The book presents the first study of ultrathin InAs nanowires with diameters below 10 nm are studied, for the first time, establishing the channel in field-effect transistors (FETs) and the correlation between nanowire diameter and device performance. Moreover, it develops a novel method for directly correlating the atomic-level structure with the properties of individual nanowires and their device performance. Using this method, the electronic properties of InAs nanowires and the performance of the FETs they are used in are found to change with the crystal phases (wurtzite, zinc-blend or a mix phase), the axis direction and the growth method. These findings deepen our understanding of InAs nanowires and provide a potential way to tailor device performance by controlling the relevant parameters of the nanowires and devices.