دسته: فیزیک پلاسما
دانلود کتاب تکامل مشخصات ویژگی در پردازش پلاسما با استفاده از سیستم نظارت بر روی ویفر بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
نام کتاب : Feature Profile Evolution in Plasma Processing Using On-wafer Monitoring System
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : تکامل مشخصات ویژگی در پردازش پلاسما با استفاده از سیستم نظارت بر روی ویفر
سری : SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology
نویسندگان : Seiji Samukawa (auth.)
ناشر : Springer Japan
سال نشر : 2014
تعداد صفحات : 46
ISBN (شابک) : 9784431547945 , 9784431547952
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 3 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
این کتاب برای اولین بار درک خوبی از فناوریهای حکاکی نمایهای که پلاسما را مختل نمیکنند، ارائه میکند. سه نوع سنسور معرفی شدهاند: سنسورهای UV روی ویفر، سنسورهای شارژ روی ویفر و سنسورهای شکل غلاف روی ویفر در سیستم پردازش پلاسما و پیشبینی پروفایلهای اچ واقعی بر اساس دادههای نظارت. خوانندگان با این سنسورها آشنا می شوند، که می توانند شرایط سطح فرآیند پلاسما واقعی مانند تولید نقص ناشی از تابش اشعه ماوراء بنفش، جهت پرواز یون به دلیل ولتاژ شارژ در ساختارهای نسبت تصویر بالا و شرایط غلاف یونی در پلاسما/سطح را اندازه گیری کنند. رابط. نمایه حکاکی پلاسما که به طور واقعی توسط یک شبیهسازی رایانهای بر اساس دادههای خروجی از این حسگرها پیشبینی شده است، شرح داده شده است.
This book provides for the first time a good understanding of the etching profile technologies that do not disturb the plasma. Three types of sensors are introduced: on-wafer UV sensors, on-wafer charge-up sensors and on-wafer sheath-shape sensors in the plasma processing and prediction system of real etching profiles based on monitoring data. Readers are made familiar with these sensors, which can measure real plasma process surface conditions such as defect generations due to UV-irradiation, ion flight direction due to charge-up voltage in high-aspect ratio structures and ion sheath conditions at the plasma/surface interface. The plasma etching profile realistically predicted by a computer simulation based on output data from these sensors is described.