دانلود کتاب Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth (Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (VCH)) (Volume 1)
کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید، خواص مواد، فیزیک و رشد (کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید (VCH)) (جلد 1) نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید، خواص مواد، فیزیک و رشد (کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید (VCH)) (جلد 1) بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
توضیحاتی در مورد کتاب Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth (Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (VCH)) (Volume 1)
نام کتاب : Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth (Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (VCH)) (Volume 1)
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید، خواص مواد، فیزیک و رشد (کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید (VCH)) (جلد 1)
سری :
نویسندگان : Hadis Morkoç
ناشر : Wiley-VCH
سال نشر : 2008
تعداد صفحات : 1316
ISBN (شابک) : 3527408371 , 9783527408375
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 15 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
سه جلد این کتاب راهنما به اصول، فناوری و نانوتکنولوژی نیمه هادی های نیترید با وضوح و عمق فوق العاده ای پرداخته است. آنها تمام اصول اولیه لازم فیزیک و مهندسی نیمه هادی ها و دستگاه ها را همراه با یک بخش مرجع گسترده ارائه می دهند. جلد 1 به خواص و رشد GaN می پردازد. روش‌های رسوب‌گذاری در نظر گرفته شده عبارتند از: VPE هیدرید، CVD آلی فلزی، MBE، و رشد مایع/فشار بالا. علاوه بر این، عیوب توسعه یافته و ماهیت الکتریکی آنها، عیوب نقطه ای و دوپینگ بررسی می شود.
فهرست مطالب :
I-LXIII......Page 1
1-129......Page 64
131-321......Page 193
323-816......Page 384
817-1229......Page 878
1231-1255......Page 1291
1257......Page 1316
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They present all the necessary basics of semiconductor and device physics and engineering together with an extensive reference section. Volume 1 deals with the properties and growth of GaN. The deposition methods considered are: hydride VPE, organometallic CVD, MBE, and liquid/high pressure growth. Additionally, extended defects and their electrical nature, point defects, and doping are reviewed.