Heteroepitaxial Semiconductors for Electronic Devices

دانلود کتاب Heteroepitaxial Semiconductors for Electronic Devices

35000 تومان موجود

کتاب نیمه هادی های هتروپیتاکسیال برای دستگاه های الکترونیکی نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب نیمه هادی های هتروپیتاکسیال برای دستگاه های الکترونیکی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 3


توضیحاتی در مورد کتاب Heteroepitaxial Semiconductors for Electronic Devices

نام کتاب : Heteroepitaxial Semiconductors for Electronic Devices
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : نیمه هادی های هتروپیتاکسیال برای دستگاه های الکترونیکی
سری :
نویسندگان : , , ,
ناشر : Springer-Verlag New York
سال نشر : 1978
تعداد صفحات : 306
ISBN (شابک) : 9781461262695 , 9781461262671
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 11 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :




چند سال پیش برای دانشمندان مواد، حتی در صنعت الکترونیک، غیرمعمول نبود که مستقل از مهندسان دستگاه کار کنند. هیچ یک از گروه ها ابزاری برای تعیین اینکه آیا مواد برای کاربرد در ساختارهای دستگاه خاص بهینه شده اند یا خیر، نداشتند. این حالت کار دیگر مطلوب یا ممکن نیست. معرفی یک ماده جدید، یا شکل جدیدی از یک ماده شناخته شده، اکنون نیازمند یک تلاش مشترک نزدیک بین افرادی است که نشان دهنده رشته های آماده سازی مواد، مشخصات مواد، طراحی و پردازش دستگاه، و تجزیه و تحلیل عملکرد دستگاه هستند. بین عملکرد دستگاه و خواص مواد ارتباط برقرار می کند. توسعه دستگاه‌ها در لایه‌های نازک هترواپیتاکسیال به‌ویژه از طریق مبادله غیرمعمول نزدیک و فعال بین افراد با زمینه‌های مناسب، به وضعیت کنونی پیشرفت کرده است. ما هیچ کتابی در دسترس نمی یابیم که شرحی از این رشته های متنوع مورد نیاز برای توسعه چنین فناوری مواد-دستگاهی را گرد هم آورد. از این رو، نویسندگان این کتاب که چندین سال با هم همکاری نزدیک داشته اند، انگیزه یافتند تا تجربیات خود را در این جلد گردآوری کنند. در طول سال‌ها، یک جریان منطقی از فعالیت وجود داشته است که با سیلیکون تاکسیال هترواپی شروع شده و از طریق ترکیبات III-V و II-VI پیشرفت کرده است. برای هر ماده، تأکید اولیه بر آماده‌سازی مواد و مشخص‌سازی بعداً به تأکید بر تجزیه و تحلیل ویژگی‌های دستگاه خاص برای مواد درگیر تغییر کرد.


فهرست مطالب :


Front Matter....Pages i-xiii
Introduction....Pages 1-5
The Preparation and Properties of Heteroepitaxial Silicon....Pages 6-105
Heteroepitaxial Growth and Characterization of Compound Semiconductors....Pages 106-149
The Preparation and Properties of Heteroepitaxial III–V and II–VI Compounds for Surface Acoustic Wave and Electrooptic Devices....Pages 150-181
Characterization of Heteroepitaxial Thin-Film Semiconductors on Insulating Substrates....Pages 182-215
The Electrical Characterization of Heteroepitaxial Semiconducting Films....Pages 216-263
An Analysis of the Gas-Flow Dynamics in a Horizontal CVD Reactor....Pages 264-281
Misfit, Strain, and Dislocations in Epitaxial Structures: Si/Si, Ge/Si, Si/Al 2 O 3 ....Pages 282-293
Back Matter....Pages 295-299

توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


Some years ago it was not uncommon for materials scientists, even within the electronics industry, to work relatively independently of device engi­ neers. Neither group had a means to determine whether or not the materials had been optimized for application in specific device structures. This mode of operation is no longer desirable or possible. The introduction of a new material, or a new form of a well known material, now requires a close collaborative effort between individuals who represent the disciplines of materials preparation, materials characterization, device design and pro­ cessing, and the analysis of the device operation to establish relationships between device performance and the materials properties. The develop­ ment of devices in heteroepitaxial thin films has advanced to the present state specifically through the unusually close and active interchange among individuals with the appropriate backgrounds. We find no book available which brings together a description of these diverse disciplines needed for the development of such a materials-device technology. Therefore, the authors of this book, who have worked in close collaboration for a number of years, were motivated to collect their experiences in this volume. Over the years there has been a logical flow of activity beginning with heteroepi­ taxial silicon and progressing through the III-V and II-VI compounds. For each material the early emphasis on material preparation and characteriza­ tion later shifted to an emphasis on the analysis of the device characteristics specific to the materials involved.




پست ها تصادفی