دانلود کتاب ساختارهای ناهمسان روی سیلیکون: یک قدم جلوتر با سیلیکون بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
نام کتاب : Heterostructures on Silicon: One Step Further with Silicon
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : ساختارهای ناهمسان روی سیلیکون: یک قدم جلوتر با سیلیکون
سری : NATO ASI Series 160
نویسندگان : K. Woodbridge (auth.), Yves I. Nissim, Emmanuel Rosencher (eds.)
ناشر : Springer Netherlands
سال نشر : 1989
تعداد صفحات : 360
ISBN (شابک) : 9789401069007 , 9789400909137
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 19 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
در زمینه مدارهای منطقی در میکروالکترونیک، رهبری سیلیکون در حال حاضر به دلیل دستیابی به فناوری آن به شدت تثبیت شده است. بازدهی نزدیک به یک میلیون تراشه ترانزیستوری روی ویفرهای بسیار بزرگ (6 اینچ امروز، 8 اینچ فردا) در حال حاضر در صنعت انجام می شود. برتری سیلیکون نسبت به سایر مواد را می توان به صورت زیر خلاصه کرد: - رابط Si/Si0 کاملترین رابط غیرفعال کننده ای است که تاکنون به دست آمده است (کمتر از 10 اینچ e y-I cm2 چگالی حالت رابط) - سیلیکون رسانایی حرارتی زیادی دارد به طوری که بزرگ کریستال ها را می توان کشید - سیلیکون یک ماده سخت است به طوری که ویفرهای بزرگ را می توان با خیال راحت جابه جا کرد - سیلیکون از نظر حرارتی تا 1100 درجه سانتیگراد پایدار است به طوری که بسیاری از عملیات متالورژی (اکسیداسیون، انتشار، بازپخت ...) را می توان با خیال راحت انجام داد. - سیلیکون فراوانی روی زمین وجود دارد، به طوری که ویفر سیلیکونی پایه ارزان است، متأسفانه، محدودیتهای اساسی در سیلیکون وجود دارد که به دلیل خواص مواد قابل غلبه نیست: به عنوان مثال، عملکرد لیزر، تشخیص مادون قرمز، تحرک بالا فناوریهای جدید رسوبگذاری و رشد، امکانات جدیدی را برای سازههای مبتنی بر سیلیکون گشوده است. این با ادغام یک دیود ساطع کننده نور GaAs بر روی یک ساختار مبتنی بر سیلیکون توسط یک گروه MIT در سال 1985 آغاز شد.
In the field of logic circuits in microelectronics, the leadership of silicon is now strongly established due to the achievement of its technology. Near unity yield of one million transistor chips on very large wafers (6 inches today, 8 inches tomorrow) are currently accomplished in industry. The superiority of silicon over other material can be summarized as follow: - The Si/Si0 interface is the most perfect passivating interface ever 2 obtained (less than 10" e y-I cm2 interface state density) - Silicon has a large thermal conductivity so that large crystals can be pulled. - Silicon is a hard material so that large wafers can be handled safely. - Silicon is thermally stable up to 1100°C so that numerous metallurgical operations (oxydation, diffusion, annealing ... ) can be achieved safely. - There is profusion of silicon on earth so that the base silicon wafer is cheap. Unfortunatly, there are fundamental limits that cannot be overcome in silicon due to material properties: laser action, infra-red detection, high mobility for instance. The development of new technologies of deposition and growth has opened new possibilities for silicon based structures. The well known properties of silicon can now be extended and properly used in mixed structures for areas such as opto-electronics, high-speed devices. This has been pioneered by the integration of a GaAs light emitting diode on a silicon based structure by an MIT group in 1985.