High Pressure in Semiconductor Physics II

دانلود کتاب High Pressure in Semiconductor Physics II

36000 تومان موجود

کتاب فشار بالا در فیزیک نیمه هادی II نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب فشار بالا در فیزیک نیمه هادی II بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 3


توضیحاتی در مورد کتاب High Pressure in Semiconductor Physics II

نام کتاب : High Pressure in Semiconductor Physics II
ویرایش : 1st
عنوان ترجمه شده به فارسی : فشار بالا در فیزیک نیمه هادی II
سری : Semiconductors and Semimetals 55
نویسندگان :
ناشر : Academic Press
سال نشر : 1998
تعداد صفحات : 477
ISBN (شابک) : 9780080864532 , 0127521631
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 19 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :


از زمان آغاز به کار خود در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران، و همکاران مشهور خود را متمایز کرده است. مجموعه "ویلاردسون و بیر"، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به انتشار جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشار تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، متخصص مشهور در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، عیوب در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمساختار با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و برخی دیگر در واقع نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. ماهیت رشته ای که این مجموعه پوشش می دهد، حجم های نیمه هادی ها و نیمه فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمیدانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود. جلدهای 54 و 55 مشارکت های محققان برجسته در زمینه نیمه هادی های فشار قوی را ارائه می دهند. این مجلدات که توسط تی. ساسکی و دبلیو پل ویرایش شده اند، سنت انتشارات معروف اما قدیمی مانند فیزیک فشار بالا بریگمن (1931 و 1949) و فیزیک و شیمی فشار بالا با ویرایش بردلی را ادامه می دهند. جلدهای 54 و 55 منعکس کننده تحولات مهم صنعتی اخیر در تحقیقات و کاربردهای خواص و رفتار نیمه هادی در شرایط بدون خطر مطلوب در فشارهای بالا هستند. این پیشرفت ها شامل ظهور تکنیک سلول سندان الماسی و در دسترس بودن دستگاه پیستون سیلندر تجاری است که در فشارهای هیدرواستاتیکی بالا کار می کنند. این کتاب‌های بسیار مورد نیاز هم برای محققان و هم برای پزشکان در فیزیک کاربردی، علم مواد و مهندسی مفید خواهد بود.

فهرست مطالب :


Content:
Edited By
Page iii

Copyright Page
Page iv

Preface
Pages ix-x

List Of Contributors
Page xi

Chapter 1 Parallel Transport in Low-Dimensional Semiconductor Structures Original Research Article
Pages 1-43
D.K. Maude, J.C. Portal

Chapter 2 Tunneling under Pressure: High-Pressure Studies of Vertical Transport in Semiconductor Heterostructures Original Research Article
Pages 45-116
P.C. Klipstein

Chapter 3 Phonons, Strains, and Pressure in Semiconductors Original Research Article
Pages 117-233
Evangelos Anastassakis, Manuel Cardona

Chapter 4 Effects of External Uniaxial Stress on the Optical Properties of Semiconductors and Semiconductor Microstructures Original Research Article
Pages 235-299
Fred H. Pollak

Chapter 5 Semiconductor Optoelectronic Devices Original Research Article
Pages 301-352
A.R. Adams, M. Silver, J. Allam

Chapter 6 The Application of High Nitrogen Pressure in the Physics and Technology of III—N Compounds Original Research Article
Pages 353-379
S. Porowski, I. Grzegory

Chapter 7 Diamond Anvil Cells in High-Pressure Studies of Semiconductors Original Research Article
Pages 381-436
Mohammad Yousuf

Index
Pages 437-444

Contents of Volumes in this Series
Pages 445-461


توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise indeed that this tradition will be maintained and even expanded.Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry. Volumes 54 and 55 present contributions by leading researchers in the field of high pressure semiconductors. Edited by T. Suski and W. Paul, these volumes continue the tradition of well-known but outdated publications such as Brigman's The Physics of High Pressure (1931 and 1949) and High Pressure Physics and Chemistry edited by Bradley. Volumes 54 and 55 reflect the industrially important recent developments in research and applications of semiconductor properties and behavior under desirable risk-free conditions at high pressures. These developments include the advent of the diamond anvil cell technique and the availability of commercial piston–cylinder apparatus operating at high hydrostatic pressures. These much-needed books will be useful to both researchers and practitioners in applied physics, materials science, and engineering.



پست ها تصادفی