Identification of Defects in Semiconductors

دانلود کتاب Identification of Defects in Semiconductors

دسته: الکترونیک: رادیو

47000 تومان موجود

کتاب شناسایی عیوب در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب شناسایی عیوب در نیمه هادی ها بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 4


توضیحاتی در مورد کتاب Identification of Defects in Semiconductors

نام کتاب : Identification of Defects in Semiconductors
عنوان ترجمه شده به فارسی : شناسایی عیوب در نیمه هادی ها
سری : Semiconductors and Semimetals 51, Part B
نویسندگان :
ناشر : Elsevier, Academic Press
سال نشر : 1999
تعداد صفحات : 449
ISBN (شابک) : 0127521658 , 9780080864495
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 19 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :


توصیف کلی این مجموعه از زمان آغاز به کار آن در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران و مشارکت کنندگان مشهور خود را متمایز کرده است. مجموعه "ویلاردسون و بیر"، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به انتشار جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشار تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، متخصص مشهور در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، عیوب در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمسان ساختاری با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و دیگران در واقع نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. ماهیت رشته ای که این مجموعه پوشش می دهد، حجم های نیمه هادی ها و نیمه فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمیدانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود. شرح کلی جلد این جلد دارای مشارکت در تکنیک های پیشرفته توصیف با تمرکز بر شناسایی نقص است. ترکیب تکنیک های پرتو با مشخصات الکتریکی و نوری در جای دیگری مورد بحث قرار نگرفته است.

فهرست مطالب :


Content:
Edited by
Page ii

Volume Editor
Page iii

Copyright page
Page iv

Preface
Pages ix-xi
Michael Stavola

List of Contributors
Pages xiii-xiv

Chapter 1 Optical Measurements of Point Defects Original Research Article
Pages 1-92
Gordon Davies

Chapter 2 Defect Identification Using Capacitance Spectroscopy Original Research Article
Pages 93-152
P.M. Mooney

Chapter 3 Vibrational Spectroscopy of Light Element Impurities in Semiconductors Original Research Article
Pages 153-224
Michael Stavola

Chapter 4 Defect Processes in Semiconductors Studied at the Atomic Level by Transmission Electron Microscopy Original Research Article
Pages 225-259
P. Schwander, W.-D. Rau, C. Kisielowski, M. Gribelyuk, A. Ourmazd

Chapter 5 Scanning Tunneling Microscopy of Defects in Semiconductors Original Research Article
Pages 261-296
Nikos D. Jäger, Eicke R. Weber

Chapter 6 Perturbed Angular Correlation Studies of Defects Original Research Article
Pages 297-405
Thomas Wichert

Index
Pages 407-417


توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


GENERAL DESCRIPTION OF THE SERIESSince its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise indeed that this tradition will be maintained and even expanded.Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry. GENERAL DESCRIPTION OF THE VOLUMEThis volume has contributions on Advanced Characterization Techniques with a focus on defect identification. The combination of beam techniques with electrical and optical characterization has not been discussed elsewhere.



پست ها تصادفی