III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics

دانلود کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics

38000 تومان موجود

کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد

این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 6


توضیحاتی در مورد کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics

نام کتاب : III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون
سری :
نویسندگان : , ,
ناشر : CRC Press
سال نشر : 2010
تعداد صفحات : 588
ISBN (شابک) : 1439815224 , 9781439815229
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 20 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :




میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون به طور پیوسته در معیارهای مختلف عملکرد به هزینه بهبود یافته است. اما پس از دهه‌ها مقیاس‌گذاری پردازنده، محدودیت‌های اساسی و چالش‌های جدید قابل توجهی پدیدار شده‌اند. ادغام نیمه هادی های مرکب کاندیدای اصلی برای رسیدگی به بسیاری از این مسائل و ادامه پیگیری بی وقفه پردازنده های قدرتمندتر و مقرون به صرفه است.

III-V. نیمه هادی های مرکب: ادغام با میکروالکترونیک های مبتنی بر سیلیکون پیشرفت های اخیر در این زمینه را پوشش می دهد و به دو انقلاب بزرگ در صنعت نیمه هادی ها می پردازد: ادغام نیمه هادی های مرکب در میکروالکترونیک Si و ساخت آنها بر روی بسترهای Si با مساحت بزرگ. نویسندگان یک کاوش علمی و فناوری در مورد دستگاه‌های نیمه‌رسانای ترکیبی GaN، GaAs و III-V در میکروالکترونیک Si ارائه می‌کنند و پایه‌ای اساسی برای کمک به خوانندگان برای مقابله با مسائل مربوط به طراحی و کاربرد ایجاد می‌کنند.

برنامه‌های CMOS مبتنی بر سیلیکون را که در برنامه پیشرفته DARPA توسعه یافته‌اند بررسی می‌کند< /P>

این کتاب با ارائه یک نمای کلی از سیستم‌ها، دستگاه‌ها و مواد سازنده آنها:

  • ساختار، نمودارهای فاز و فیزیکی را شرح می‌دهد. و خواص شیمیایی مواد III-V و Si، و همچنین چالش های یکپارچه سازی
  • بر مزیت های کلیدی GaN، از جمله اهمیت آن در تجاری سازی یک کلاس جدید دیودها و ترانزیستورهای قدرت
  • مواد سنتی III-V را تجزیه و تحلیل می‌کند و مزایا و معایب آنها را برای ادغام دستگاه با میکروالکترونیک Si بیان می‌کند. /LI>

  • خواص نیمه هادی های III-V را توضیح می دهد و رویکردهایی را برای ارزیابی و مشخص کردن ویژگی های آنها توصیف می کند
  • < LI> فناوری های جدیدی را برای اندازه گیری و ارزیابی کیفیت مواد و ویژگی های دستگاه معرفی می کند

  • Investiga دستگاه های نوری پیشرفته، LED ها، فوتونیک Si، مواد و دستگاه های پرسرعت و پرقدرت III-V، دستگاه های سلول خورشیدی III-V و موارد دیگر

مجموعه کار متخصصان مشهور، مرجعی برای دانشمندان و مهندسانی است که در تقاطع Si و فناوری نیمه هادی مرکب کار می کنند. پوشش جامع آن هم برای دانشجویان و هم برای متخصصان این حوزه رو به رشد ارزشمند است.



توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


Silicon-based microelectronics has steadily improved in various performance-to-cost metrics. But after decades of processor scaling, fundamental limitations and considerable new challenges have emerged. The integration of compound semiconductors is the leading candidate to address many of these issues and to continue the relentless pursuit of more powerful, cost-effective processors.

III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics covers recent progress in this area, addressing the two major revolutions occurring in the semiconductor industry: integration of compound semiconductors into Si microelectronics, and their fabrication on large-area Si substrates. The authors present a scientific and technological exploration of GaN, GaAs, and III-V compound semiconductor devices within Si microelectronics, building a fundamental foundation to help readers deal with relevant design and application issues.

Explores silicon-based CMOS applications developed within the cutting-edge DARPA program

Providing an overview of systems, devices, and their component materials, this book:

  • Describes structure, phase diagrams, and physical and chemical properties of III-V and Si materials, as well as integration challenges
  • Focuses on the key merits of GaN, including its importance in commercializing a new class of power diodes and transistors
  • Analyzes more traditional III-V materials, discussing their merits and drawbacks for device integration with Si microelectronics
  • Elucidates properties of III-V semiconductors and describes approaches to evaluate and characterize their attributes
  • Introduces novel technologies for the measurement and evaluation of material quality and device properties
  • Investigates state-of-the-art optical devices, LEDs, Si photonics, high-speed, high-power III-V materials and devices, III-V solar cell devices, and more

Assembling the work of renowned experts, this is a reference for scientists and engineers working at the intersection of Si and compound semiconductor technology. Its comprehensive coverage is valuable for both students and experts in this burgeoning field.




پست ها تصادفی