توضیحاتی در مورد کتاب :
این ممکن است اولین کتابی باشد که بیشتر مربوط به شبیه سازی های طراحی رایانه ای 3D (TCAD) از دستگاه های نیمه هادی پیشرفته استرس و کرنش است: MOSFETS ، BJTS ، HBTS ، دستگاه های مس غیر کلاسیک ، باله ها ، سیلیکون-آلمانیوم هتروس هتروس ، فت ها ، سلولهای خورشیدی ، سلولهای خورشیدی ، و تزیین حافظه. این کتاب بر نحوه تنظیم ابزارهای شبیه سازی TCAD سه بعدی ، از طرح ماسک گرفته تا شبیه سازی و شبیه سازی دستگاه ، از جمله طراحی برای ساخت (DFM) و از مدل سازی دستگاه گرفته تا استخراج پارامتر ادویه متمرکز شده است. این کتاب همچنین یک رویکرد نوآورانه و جدید برای آموزش اصول فرایند نیمه هادی و طراحی دستگاه با استفاده از شبیه سازی های پیشرفته TCAD از ساختارهای مختلف نیمه هادی ارائه می دهد. نمونه های شبیه سازی انتخاب شده از محبوب ترین دستگاه های مورد استفاده امروزه است و بینش های فیزیک و فیزیک دستگاهی مفید را ارائه می دهد. برای گسترش نقش TCAD در دوران پیشرفته فناوری پیشرفته ، مدل سازی فشرده فرآیند و مسائل DFM برای تولید رابط طراحی و فناوری گنجانده شده است. این اولین کتابی است که یک آزمایشگاه آنلاین مبتنی بر وب برای خصوصیات دستگاه نیمه هادی و استخراج پارامتر ادویه ارائه می دهد. این نه تنها شیوه تولید مرتبط با فن آوری های مورد استفاده بلکه مبنای علمی اساسی آن فناوری ها را توصیف می کند. این کتاب که از دیدگاه مهندسی نوشته شده است ، طراحی فرایند و پیش زمینه شبیه سازی مورد نیاز برای درک توسعه فناوری جدید و آینده ، مدل سازی فرآیند و طراحی ترانزیستورهای نانو را ارائه می دهد.
فهرست مطالب :
Content: 1. Introduction --
2. Technology CAD tools --
3. Technology boosters --
4. BiCMOS process simulations --
5. SiGe and SiGeC HBTs --
6. Silicon hetero-FETs --
7. FinFETs --
8. Advanced devices --
9. Memory devices --
10. Power devices --
11. Solar cells --
12. TCAD for SPICE parameter extraction --
13. Technology CAD for DFM --
14. VWF and online laboratory.
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
This might be the first book that deals mostly with the 3D technology computer-aided design (TCAD) simulations of major state-of-the-art stress- and strain-engineered advanced semiconductor devices: MOSFETs, BJTs, HBTs, nonclassical MOS devices, finFETs, silicon-germanium hetero-FETs, solar cells, power devices, and memory devices. The book focuses on how to set up 3D TCAD simulation tools, from mask layout to process and device simulation, including design for manufacturing (DFM), and from device modeling to SPICE parameter extraction. The book also offers an innovative and new approach to teaching the fundamentals of semiconductor process and device design using advanced TCAD simulations of various semiconductor structures. The simulation examples chosen are from the most popular devices in use today and provide useful technology and device physics insights. To extend the role of TCAD in today’s advanced technology era, process compact modeling and DFM issues have been included for design–technology interface generation.
Unique in approach, this book provides an integrated view of silicon technology and beyond—with emphasis on TCAD simulations. It is the first book to provide a web-based online laboratory for semiconductor device characterization and SPICE parameter extraction. It describes not only the manufacturing practice associated with the technologies used but also the underlying scientific basis for those technologies. Written from an engineering standpoint, this book provides the process design and simulation background needed to understand new and future technology development, process modeling, and design of nanoscale transistors.
The book also advances the understanding and knowledge of modern IC design via TCAD, improves the quality in micro- and nanoelectronics R&D, and supports the training of semiconductor specialists. It is intended as a textbook or reference for graduate students in the field of semiconductor fabrication and as a reference for engineers involved in VLSI technology development who have to solve device and process problems. CAD specialists will also find this book useful since it discusses the organization of the simulation system, in addition to presenting many case studies where the user applies TCAD tools in different situations.