دانلود کتاب Lifetime Spectroscopy: A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications
کتاب طیف سنجی طول عمر: روشی برای مشخص کردن نقص در سیلیکون برای کاربردهای فتوولتائیک نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب طیف سنجی طول عمر: روشی برای مشخص کردن نقص در سیلیکون برای کاربردهای فتوولتائیک بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Lifetime Spectroscopy: A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications
نام کتاب : Lifetime Spectroscopy: A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : طیف سنجی طول عمر: روشی برای مشخص کردن نقص در سیلیکون برای کاربردهای فتوولتائیک
سری : Springer Series in Material Science 85
نویسندگان : Dr. Stefan Rein (auth.)
ناشر : Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر : 2005
تعداد صفحات : 512
ISBN (شابک) : 9783540253037 , 9783540279228
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 8 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
طیف‌سنجی طول عمر یکی از حساس‌ترین ابزارهای تشخیصی برای شناسایی و آنالیز ناخالصی‌ها در نیمه‌رساناها است. از آنجایی که مبتنی بر فرآیند نوترکیبی است، بینشی را در مورد دقیقاً آن نقص هایی که مربوط به دستگاه های نیمه هادی مانند سلول های خورشیدی است، ارائه می دهد. این کتاب یک روش مدل‌سازی شفاف را معرفی می‌کند که امکان ارزیابی نظری دقیق از پتانسیل طیف‌سنجی تکنیک‌های مختلف طیف‌سنجی طول عمر را فراهم می‌کند. پیش‌بینی‌های نظری مختلف به صورت تجربی با زمینه یک مطالعه جامع بر روی ناخالصی‌های فلزی مختلف تأیید می‌شوند. کیفیت و سازگاری نتایج طیف‌سنجی، همانطور که در اینجا توضیح داده شد، عملکرد عالی طیف‌سنجی طول عمر را تأیید می‌کند.
فهرست مطالب :
Introduction....Pages 1-4
Theory of carrier lifetime in silicon....Pages 5-58
Lifetime measurement techniques....Pages 59-68
Theory of lifetime spectroscopy....Pages 69-255
Defect characterization on intentionally metal-contaminated silicon samples....Pages 257-395
The metastable defect in boron-doped Czochralski silicon....Pages 397-460
Summary and further work....Pages 461-470
Zusammenfassung und Ausblick....Pages 471-482
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Lifetime spectroscopy is one of the most sensitive diagnostic tools for the identification and analysis of impurities in semiconductors. Since it is based on the recombination process, it provides insight into precisely those defects that are relevant to semiconductor devices such as solar cells. This book introduces a transparent modeling procedure that allows a detailed theoretical evaluation of the spectroscopic potential of the different lifetime spectroscopic techniques. The various theoretical predictions are verified experimentally with the context of a comprehensive study on different metal impurities. The quality and consistency of the spectroscopic results, as explained here, confirms the excellent performance of lifetime spectroscopy.
پست ها تصادفی