دانلود کتاب Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics: Thermal and Electrical Stability
کتاب رابط های فلز-دی الکتریک در گیگا مقیاس الکترونیک: پایداری حرارتی و الکتریکی نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب رابط های فلز-دی الکتریک در گیگا مقیاس الکترونیک: پایداری حرارتی و الکتریکی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics: Thermal and Electrical Stability
نام کتاب : Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics: Thermal and Electrical Stability
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : رابط های فلز-دی الکتریک در گیگا مقیاس الکترونیک: پایداری حرارتی و الکتریکی
سری : Springer Series in Materials Science 157
نویسندگان : Ming He, Toh-Ming Lu (auth.)
ناشر : Springer-Verlag New York
سال نشر : 2012
تعداد صفحات : 154
ISBN (شابک) : 9781461418115 , 9781461418122
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 6 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
رابط های فلز-دی الکتریک در الکترونیک مدرن همه جا وجود دارد. همانطور که دستگاه های الکترونیکی پیشرفته در مقیاس گیگا به کوچک شدن ادامه می دهند، پایداری این رابط ها در حال تبدیل شدن به یک موضوع مهم است که تأثیر عمیقی بر قابلیت اطمینان عملیاتی این دستگاه ها دارد. در این کتاب، نویسندگان علوم پایه را در زمینه پایداری حرارتی و الکتریکی رابط های فلز-دی الکتریک و رابطه آن با عملکرد سیستم های اتصال پیشرفته در الکترونیک مقیاس گیگا ارائه می دهند. پدیده‌های رابط، از جمله واکنش‌های شیمیایی بین فلزات و دی‌الکتریک‌ها، انتشار اتم فلزی، و رانش یون، بر اساس اصول فیزیکی و شیمیایی اساسی مورد بحث قرار می‌گیرند. نمودارهای شماتیک در سراسر کتاب برای نشان دادن پدیده های رابط و اصول حاکم بر آنها ارائه شده است.
رابط های فلز-دی الکتریک در مقیاس گیگا الکترونیک یک رویکرد متحد کننده به نتایج آزمایش های متنوع و گاه متناقض ارائه می دهد که در ادبیات رابط های فلز-دی الکتریک گزارش شده است. هدف این است که به خوانندگان گزارش روشنی از رابطه بین علم رابط و کاربردهای آن در ساختارهای متصل ارائه دهد. مطالب ارائه شده در اینجا همچنین برای کسانی که در تحقیقات ترانزیستورهای اثر میدانی و دستگاه ممریستور و همچنین محققان دانشگاه و دانشمندان صنعتی که در زمینه پردازش مواد الکترونیکی، ساخت نیمه هادی ها، تراشه های حافظه و طراحی IC کار می کنند، جالب خواهد بود. /p>فهرست مطالب :
Front Matter....Pages i-xi
Introduction....Pages 1-9
Metal–Dielectric Diffusion Processes: Fundamentals....Pages 11-22
Experimental Techniques....Pages 23-44
Al-Dielectric Interfaces....Pages 45-55
Cu-Dielectric Interfaces....Pages 57-74
Barrier Metal–Dielectric Interfaces....Pages 75-89
Self-Forming Barriers....Pages 91-108
Kinetics of Ion Drift....Pages 109-125
Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) and Future Directions....Pages 127-145
Back Matter....Pages 147-149
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Metal-dielectric interfaces are ubiquitous in modern electronics. As advanced gigascale electronic devices continue to shrink, the stability of these interfaces is becoming an increasingly important issue that has a profound impact on the operational reliability of these devices. In this book, the authors present the basic science underlying the thermal and electrical stability of metal-dielectric interfaces and its relationship to the operation of advanced interconnect systems in gigascale electronics. Interface phenomena, including chemical reactions between metals and dielectrics, metallic-atom diffusion, and ion drift, are discussed based on fundamental physical and chemical principles. Schematic diagrams are provided throughout the book to illustrate interface phenomena and the principles that govern them.
Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics provides a unifying approach to the diverse and sometimes contradictory test results that are reported in the literature on metal-dielectric interfaces. The goal is to provide readers with a clear account of the relationship between interface science and its applications in interconnect structures. The material presented here will also be of interest to those engaged in field-effect transistor and memristor device research, as well as university researchers and industrial scientists working in the areas of electronic materials processing, semiconductor manufacturing, memory chips, and IC design.پست ها تصادفی