دسته: فیزیک
دانلود کتاب ترانزیستورهای نانومقیاس: فیزیک دستگاه، مدل سازی و شبیه سازی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
نام کتاب : Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : ترانزیستورهای نانومقیاس: فیزیک دستگاه، مدل سازی و شبیه سازی
سری :
نویسندگان : Mark Lundstrom, Jing Guo
ناشر : Springer
سال نشر : 2005
تعداد صفحات : 222
ISBN (شابک) : 0387280022 , 9780387280035
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : djvu درصورت درخواست کاربر به PDF تبدیل می شود
حجم کتاب : 2 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
مقیاس گذاری مداوم ترانزیستورها در نیمه قرن گذشته نیروی محرکه برای الکترونیک بوده است. طول کانال ترانزیستورهای در حال تولید امروزه زیر 100 نانومتر است. طیف گسترده ای از دستگاه ها نیز برای تکمیل یا حتی جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مقیاس مولکولی در حال بررسی هستند. شباهتهایی بین ترانزیستورهای مقیاس نانو و ترانزیستور در مقیاس میکرو وجود دارد، اما نانوترانزیستورها نیز به روشهای بسیار متفاوتی رفتار میکنند. به عنوان مثال، انتقال بالستیک و اثرات کوانتومی بسیار مهم تر می شوند. برای سوق دادن ماسفت ها به محدوده مقیاس خود و کشف دستگاه هایی که ممکن است مکمل یا حتی جایگزین آنها در مقیاس مولکولی شوند، درک روشنی از فیزیک دستگاه در مقیاس نانومتری ضروری است.
این کتاب شرحی از توسعه اخیر ارائه می دهد. تئوری، مدلسازی و شبیهسازی نانو ترانزیستورها برای مهندسان و دانشمندانی که بر روی دستگاههای نانومقیاس کار میکنند. تصاویر فیزیکی ساده و مدلهای نیمه تحلیلی، که با شبیهسازیهای عددی دقیق تایید شدهاند، برای نانوترانزیستورهای تکاملی و انقلابی ارائه شدهاند.
The continuous scaling of transistors in the last half of century has been the driving force for electronics. The channel length of the transistors in production today is below 100nm. A wide variety of devices are also being explored to complement or even replace silicon transistors at molecular scales. Similarities between nanoscale and micronscale transistors exist, but nanotransistors also behave in drastically different ways. For example, ballistic transport and quantum effects become much more important. To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary.
The book provides a description of the recent development of theory, modeling, and simulation of nanotransistors for engineers and scientists working on nanoscale devices. Simple physical pictures and semi-analytical models, which were validated by detailed numerical simulations, are provided for both evolutionary and revolutionary nanotransistors.