دانلود کتاب Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors
کتاب مقاومت دیفرانسیل منفی و ناپایداری در نیمه هادی های دو بعدی نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب مقاومت دیفرانسیل منفی و ناپایداری در نیمه هادی های دو بعدی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors
نام کتاب : Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : مقاومت دیفرانسیل منفی و ناپایداری در نیمه هادی های دو بعدی
سری : NATO ASI Series 307
نویسندگان : B. K. Ridley (auth.), N. Balkan, B. K. Ridley, A. J. Vickers (eds.)
ناشر : Springer US
سال نشر : 1993
تعداد صفحات : 436
ISBN (شابک) : 9781461362203 , 9781461528227
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 17 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
ناپایداری های مرتبط با الکترون های داغ در نیمه هادی ها از ابتدای فیزیک ترانزیستور در 194Os مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه NDR و یونیزاسیون ضربه در مواد حجیم منجر به ساخت دستگاه هایی مانند دیود Gunn و دیود عکس بهمن شد. در نیمه هادی های لایه ای تشکیل دامنه در HEMT ها می تواند منجر به نشت گیت و نویز اضافی شود. مطالعات انتقال الکترون داغ به موازات لایه‌ها در ساختارهای ناهمگون، منفرد و چندگانه، شواهد فراوانی از ناپایداری الکتریکی نشان داده‌اند و هیچ کمبودی در مورد مکانیسم‌های جدید NDR، مانند انتقال فضای واقعی، NDR ناشی از پراکندگی، بین فرعی وجود ندارد. انتقال باند، اثرات نفوذ و غیره. انتقال فضای واقعی در PET های مقاومت منفی (NERFET) و در ترانزیستور تزریق بار (CHINT) و در دستگاه های منطقی ساطع نور مورد استفاده قرار گرفته است، اما اطلاعات بسیار کمی در مورد سایر مکانیسم های NDR وجود دارد. به نظر می‌رسد که مواد چاه‌های کوانتومی به‌خوبی از آن بهره‌مند شده‌اند، تا از این مواد به طور مشابه مورد بهره‌برداری قرار گیرند. بنابراین هدف این کتاب جمع‌آوری چیزهایی است که در مورد ناپایداری‌های NDR شناخته شده و ناشناخته است، و شناسایی رویکردها و تکنیک‌های امیدوارکننده‌ای است که درک ما را از منشأ این ناپایداری‌ها که در دهه گذشته بررسی‌ها مشاهده شده‌اند، افزایش می‌دهد. انتقال طولی میدان بالا در نیمه هادی های لایه ای این کتاب ویژگی های اساسی انتقال حامل گرم و ناپایداری های مرتبط با آن و انتشار نور در نیمه هادی های دو بعدی را پوشش می دهد که با تئوری و آزمایش سروکار دارند.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages i-ix
Negative Differential Resistance: A Brief History and Review....Pages 1-21
Electronic Transport in Semiconductors at High Energies: Effects of the Energy Band Structure....Pages 23-35
Theory of Oscillatory Instabilities in Parallel and Perpendicular Transport in Heterostructures....Pages 37-51
Light Emitting Logic Devices Based on Real Space Transfer in Complementary InGaAs/InAlAs Heterostructures....Pages 53-82
Electron Mobility in Delta-Doped Quantum Well Structures....Pages 83-98
Application of a New Multi-Scale Approach to Transport in a GaAs/AlAs Heterojunction Structure....Pages 99-108
Negative Differential Resistance, Instabilities, and Current Filamentation in GaAs/Al x Ga 1-x As Heterojunctions....Pages 109-126
Hot Electron Instabilities in QWs: Acoustoelectric Effect and Two-Stream Plasma Instability....Pages 127-139
Hybrid Optical Phonons in Lower Dimensional Systems and Their Interaction with Hot Electrons....Pages 141-151
Negative Differential Resistance in Superlattice and Heterojunction Channel Conduction Devices....Pages 153-170
Electronic Transport in a Laterally Patterned Resonant Structure....Pages 171-177
Travelling Domains in Modulation-Doped GaAs/AlGaAs Heterostructures....Pages 179-188
Negative Differential Resistance and Domain Formation in Semiconductor Superlattices....Pages 189-202
High Frequency DC Induced Oscillations in 2D....Pages 203-213
Hot Electron Induced Impact Ionization and Light Emission in GaAs Based MESFETs, HEMTs, PM-HEMTs and HBTs....Pages 215-249
Negative Differential Resistance, High Field Domains and Microwave Emission in GaAs Multi-Quantum Wells....Pages 251-260
On Negative Differential Resistance and Spontaneous Dissipative Structure Formation in the Electric Break-Down of p-Ge at Low Temperatures....Pages 261-268
Dissipative Structures in Bistable Electronic and Optoelectronic Semiconductor Devices....Pages 269-282
NDR, Hot Electron Instabilities and Light Emission in LDS....Pages 283-304
Light Emission and Domain Formation in Real-Space Transfer Devices....Pages 305-315
Hot Electrons in δ-Doped GaAs....Pages 317-333
Optical Phonon Modes in Semiconductor Quantum Wells and Superlattices....Pages 335-349
Plasmons on Laterally Drifting 2DEGs....Pages 351-360
Temperature-Dependent Screening Calculation of Hot-Electron Scattering in Heavily Doped Semiconductors....Pages 361-371
Optical Measurements of Carrier Mobilities in Semiconductors Using Ultrafast Photoconductivity....Pages 373-383
A Time-Dependent Approach for the Evaluation of Conductance in Two Dimensions....Pages 385-392
Hierarchy of Current Instabilities in the Impact Ionization Avalanche in Semiconductors....Pages 393-407
Impact Ionization of Excitons and Donors in Center-Doped Al 0.3 Ga 0.7 As/GaAs Quantum Wells....Pages 409-419
Hot Exciton Luminescence in Quantum Wells as a Spectroscopic Tool....Pages 421-430
Combined Quantum Mechanical-Classical Modeling of Double Barrier Resonant Tunneling Diodes....Pages 431-438
Back Matter....Pages 439-443
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Instabilities associated with hot electrons in semiconductors have been investigated from the beginning of transistor physics in the 194Os. The study of NDR and impact ionization in bulk material led to devices like the Gunn diode and the avalanche-photo-diode. In layered semiconductors domain formation in HEMTs can lead to excess gate leakage and to excess noise. The studies of hot electron transport parallel to the layers in heterostructures, single and multiple, have shown abundant evidence of electrical instability and there has been no shortage of suggestions concerning novel NDR mechanisms, such as real space transfer, scattering induced NDR, inter-sub band transfer, percolation effects etc. Real space transfer has been exploited in negative-resistance PETs (NERFETs) and in the charge-injection transistor (CHINT) and in light emitting logic devices, but far too little is known and understood about other NDR mechanisms with which quantum well material appears to be particularly well-endowed, for these to be similarly exploited. The aim of this book is therefore to collate what is known and what is not known about NDR instabilities, and to identify promising approaches and techniques which will increase our understanding of the origin of these instabilities which have been observed during the last decade of investigations into high-field longitudinal transport in layered semiconductors. The book covers the fundamental properties of hot carrier transport and the associated instabilities and light emission in 2-dimensional semiconductors dealing with both theory and experiment.
پست ها تصادفی