دانلود کتاب Neutron-Transmutation-Doped Silicon
کتاب سیلیکون دوپ شده با نوترون-تبدیل نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب سیلیکون دوپ شده با نوترون-تبدیل بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Neutron-Transmutation-Doped Silicon
نام کتاب : Neutron-Transmutation-Doped Silicon
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : سیلیکون دوپ شده با نوترون-تبدیل
سری :
نویسندگان : Heinz Herzer (auth.), Jens Guldberg (eds.)
ناشر : Springer US
سال نشر : 1981
تعداد صفحات : 493
ISBN (شابک) : 9781461332633 , 9781461332619
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 29 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
این جلد شامل مقالات ارائه شده در سومین کنفرانس بین المللی در مورد دوپینگ تبدیل نوترون سیلیکون است که در کپنهاگ در 27-29 اوت 1980 برگزار شد. اولین سمپوزیوم مرتبط با فناوری دوپینگ تبدیل نوترون به این ترتیب در سال 1976 در Oak Ridge National ترتیب داده شد. آزمایشگاه توسط جان کلیلند. در این زمان مشخص شد که این فناوری می‌تواند در مقیاس تجاری پیاده‌سازی شود و چندین نوع دستگاه قدرت در صنعت الکترونیک از استفاده از سیلیکون دوپ شده با انتقال نوترون در فرآیند ساخت سود می‌برند. دو سال بعد، دومین کنفرانس بین المللی در مورد دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها در دانشگاه میسوری، کلمبیا، توسط جان میس ترتیب داده شد. در این مناسبت جنبه‌های مختلف ساخت سیلیکون، از جمله کنترل تابش، نقص‌های ناشی از تشعشع، بهینه‌سازی دستگاه و مزایای احتمالی تابش سایر ترکیبات نیمه‌رسانا مورد بررسی قرار گرفت. با توجه به پذیرش گسترده در حال حاضر سیلیکون دوپ شده نوترونی در صنعت دستگاه های قدرت، کنفرانس حاضر عمدتاً به سمت وضعیت فعلی انتقال دوپینگ سیلیکون هدایت شد. بر این اساس، هدف این کنفرانس سه روزه بررسی تحولات فناوری بود که طی دو سال گذشته از کنفرانس قبلی رخ داده بود. علاوه بر این، توضیحات مختصری در رابطه با سایر ترکیبات نیمه هادی و تکنیک های تابش در حال ظهور ارائه شد که ممکن است در آینده بر اصول طراحی دستگاه تأثیر بگذارد.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages i-xi
Neutron-Doped Silicon — A Market Review....Pages 1-17
Large Scale Production of NTD Silicon in the United States....Pages 19-33
Impact of Defects Formed in Neutron Transmutation Doping of Silicon on Device Performance....Pages 35-54
Electrical Property Studies of Oxygen in Czochralski-Grown Neutron-Transmutation-Doped Silicon....Pages 55-82
Impurity Interactions with Structural Defects in Irradiated Silicon....Pages 83-99
Defect Production During Neutron Doping of Si....Pages 101-140
Wafer Stability. A Comparison of NTD-Silicon with Conventional FZ....Pages 141-150
Electron Spin Resonance (ESR) Study on the Thermal Annealing of Defects Induced in Neutron Transmutation Doped Silicon....Pages 151-159
Optical Studies of Lattice Damage in Neutron-Transmutation-Doped Silicon....Pages 161-163
A Facility and Program at IPNS to Study Defects Produced by Fast Neutrons in Semiconductors....Pages 165-165
Defects in Neutron-Irradiated Extrinsic P-Type Silicon....Pages 167-181
The Health and Safety Aspects of Neutron Doped Silicon....Pages 183-191
Precision and Accuracy of NTD Silicon Production Based on Calorimetric Neutron Dose Control....Pages 193-205
The Selection of Starting Material for Neutron-Transmutation Doped Silicon....Pages 207-210
The Optimisation of Nuclear Parameters Used for Silicon Irradiation in the Harwell Research Reactors....Pages 211-221
Factors Affecting Phosphorus Production Rate in NTD Silicon....Pages 223-246
Neutron Doped Silicon in Grenoble Reactor Facilities....Pages 247-261
Characterization of NTD Silicon Irradiated in Grenoble Reactor Facilities....Pages 263-271
A Preliminary Study on NTD-Silicon....Pages 273-286
Development of the Irradiation Facilities for Silicon Neutron Doping in France....Pages 287-303
Neutron Transmutation Doping of Silicon Slices....Pages 305-318
Characterization of Unijunction Transistors Fabricated on NTD-Silicon....Pages 319-338
NTD Silicon Behaviour during Diffusion Heat Treatment and High Power Devices Optimisation....Pages 339-353
An Optimization of Blocking Characteristics of High Voltage Thyristors Using NTD Crystal....Pages 355-365
The Fabrication and Characterization of Spreading Resistance Temperature Sensors Using NTD Silicon....Pages 367-375
Characterization of NTD Silicon Crystals by the Photoluminescence Technique....Pages 377-394
Precision Resistivity Measurements on NTD-Silicon....Pages 395-415
Photoluminescence Analysis of NTD-Silicon....Pages 417-421
Quantitative Determination of B and P in Silicon by IR Spectroscopy....Pages 423-435
Extrinsic NTD Silicon for Infrared Applications....Pages 437-446
Impurity Doping and Isolation Processing by High Energy Electron Beam....Pages 447-471
Application of NTD Silicon for Radiation Detector of Surface Barrier Type....Pages 473-485
Neutron Transmutation Doping of GaAs....Pages 487-495
Back Matter....Pages 497-505
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
This volume contains the papers presented at the Third International Conference on Neutron Transmutation Doping of Silicon held in Copenhagen on August 27-29, 1980. The first symposium associated with neutron transmutation doping technology as such was arranged in 1976 at Oak Ridge National Laboratory by John Cleland. At this time it had become clear that the technology could be implemented on a commercial scale and that several types of power devices in the electronic industry would benefit from employing neutron transmutation doped silicon in the fabrication proces's'. Two years later the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping of Semiconductors was arranged at the University of Missouri, Columbia, by Jon Meese. On this occasion the various aspects of silicon fabrication were reviewed, including irradiation control, radiation induced defects, device optimization, and possible benefits of irradiating other semiconductor compounds. In view of the now wide spread acceptance of neutron doped silicon in the power device industry the present conference was largely directed towards the current status of transmutation doping of silicon. Accordingly, the scope of the three day confe rence was to review developments in the technology which had occurred during the two years which had passed since the previous conference. In addition, brief accounts were given with respect to other semiconducting compounds and emerging irradiation techniques which may impact on device design principles in the future.