دانلود کتاب دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
نام کتاب : Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها
سری :
نویسندگان : J. M. Meese (auth.), Jon M. Meese (eds.)
ناشر : Springer US
سال نشر : 1979
تعداد صفحات : 367
ISBN (شابک) : 9781468482515 , 9781468482492
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 12 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
این جلد شامل مقالات دعوت شده و ارائه شده در دومین کنفرانس بین المللی در مورد دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها است که در 23 تا 26 آوریل 1978 در دانشگاه میسوری-کلمبیا برگزار شد. اولین سمپوزیوم "آزمایش آب ها" در مورد این موضوع توسط جان کلیلند و دیک وود از بخش حالت جامد آزمایشگاه ملی اوک ریج در آوریل 1976 سازماندهی شد، درست یک سال پس از ظهور NTD-سیلیکون در بازار. از اولین جلسه، NTD-سیلیکون به عنوان ماده اولیه برای صنعت دستگاه های قدرت شناخته شده است و تابش راکتور اکنون در ده ها تن ماده در سال اندازه گیری می شود و پردازش NTD را به بزرگترین فناوری اثرات تشعشع در صنعت نیمه هادی تبدیل می کند. از اولین کنفرانس در Oak Ridge، کاربردهای جدید و تکنیک های تابش توسعه یافته است. علاقه به کنفرانس دوم و انتشار مقالات بسیار زیاد بوده است. دومین کنفرانس در دانشگاه میسوری با حضور 114 نفر برگزار شد. تقریباً 20٪ از شرکت کنندگان از کشورهای خارج از ایالات متحده بودند و این کنفرانس را واقعاً بین المللی از نظر وسعت کرد.
This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia. The first "testing of the waters" symposium on this subject was organized by John Cleland and Dick Wood of the Solid-State Division of Oak Ridge National Laboratory in April of 1976, just one year after NTD-silicon appeared on the marketplace. Since this first meeting, NTD-silicon has become established as the starting material for the power device industry and reactor irradiations are now measured in tens of tons of material per annum making NTD processing the largest radiation effects technology in the semiconductor industry. Since the first conference at Oak Ridge, new applications and irradiation techniques have developed. Interest in a second con ference and in publishing the proceedings has been extremely high. The second conference at the University of Missouri was attended by 114 persons. Approximately 20% of the attendees came from countries outside the U.S.A. making the conference truly interna tional in scope.