دانلود کتاب New Insulators, Devices and Radiation Effects
کتاب عایق های جدید، دستگاه ها و اثرات تشعشع نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب عایق های جدید، دستگاه ها و اثرات تشعشع بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب New Insulators, Devices and Radiation Effects
نام کتاب : New Insulators, Devices and Radiation Effects
ویرایش : 1st
عنوان ترجمه شده به فارسی : عایق های جدید، دستگاه ها و اثرات تشعشع
سری : Instabilities in Silicon Devices 3
نویسندگان : Gérard Barbottin and André Vapaille (Eds.)
ناشر : Elsevier, Academic Press
سال نشر : 1999
تعداد صفحات : 967
ISBN (شابک) : 0444818014 , 9780080534763
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 50 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
امروزه فناوری سیلیکون اساس صنعت قطعات چند میلیارد دلاری در سراسر جهان را تشکیل می دهد. دلیل این انبساط را نه تنها می توان در خواص فیزیکی سیلیکون، بلکه در خواص منحصر به فرد رابط سیلیسیم-دی اکسید سیلیکون نیز جستجو کرد. با این حال، دستگاه های سیلیکونی هنوز در معرض پدیده های الکتریکی ناخواسته ای به نام "ناپایداری" هستند. اینها بیشتر به دلیل ماهیت ناقص عایق های مورد استفاده، به دلیل رابط نه چندان عالی سیلیکون-عایق و به دلیل ایجاد عیوب و پدیده های یونیزاسیون ناشی از تشعشعات است. مشکل ناپایداری ها در این جلد، سومین جلد بررسی شده است. این سری کتاب.جلد 3 مطالب ارائه شده در دو جلد قبلی را به روز و تکمیل می کند و پنج فصل را به مشکلات تابش-ماده و برهمکنش پرتو-دستگاه اختصاص می دهد. این حجم به تولیدکنندگان مدار و کاربران مدار کمک می‌کند تا پارامترها و ویژگی‌های الکتریکی ناپایدار را با وجود نقص‌ها و ناخالصی‌های فیزیکی یا محیط تشعشعی که باعث ایجاد آنها شده است، مرتبط کنند.
فهرست مطالب :
Content:
The editors
Page vii
Foreword
Pages ix-xi
George C. Messenger
Introduction to volume 3
Pages xiii-xvi
List of contributors
Pages xix-xx
The authors
Pages xxi-xxvii
Foreword
Page 2
Chapter 1 Silica, silicon nitride and oxynitride thin films: An overview of fabrication techniques, properties and applications Review Article
Pages 3-144
B. Balland, A. Glachant
Chapter 2 A review of buried oxide structures and SOI technologies Review Article
Pages 145-231
J.-L. Leray
Chapter 3 Dielectric breakdown in SiO2: A survey of test methods Review Article
Pages 233-263
D.R. Wolters, J.F. Verwey, A.T.A. Zegers-Van Duijnhoven
Chapter 4 Hot carrier injections in SIO2 and related instabilities in submicrometer mosfets Review Article
Pages 265-339
D. Vuillaume
Chapter 5 Multilayer dielectrics for memory applications Review Article
Pages 341-404
P. Gentil
Chapter 6 Charge pumping techniques: Their use for diagnosis and interface states studies in MOS transistors Review Article
Pages 405-493
J.L. Autran, B. Balland, G. Barbottin
Chapter 7 The study of thermal nitridation and reoxidation mechanisms using isotopic tracing methods Review Article
Pages 495-520
J.-J. Ganem, J.J.R. Baumvol
Foreword
Page 523
Chapter 8 The space radiation environment Review Article
Pages 525-552
D. Bräunig
Chapter 9 An overview of radiation-matter interactions Review Article
Pages 553-637
W.R. Fahrner
Chapter 10 Radiation effects in electronic components Review Article
Pages 639-722
D. Bräunig, F. Wulf
Chapter 11 Defects and radiation-induced charge-trapping phenomena in SiO2 Review Article
Pages 723-780
P. Paillet, J.L. Leray
Chapter 12 The effects of cosmic ions on electronic components Review Article
Pages 781-890
O. Musseau
Authors index
Pages 891-915
Subject index
Pages 917-933
List of errata to volume 1 of instabilities in silicon devices silicon passivation and related instabilities
Pages 935-938
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Silicon technology today forms the basis of a world-wide, multi-billion dollar component industry. The reason for this expansion can be found not only in the physical properties of silicon but also in the unique properties of the silicon-silicon dioxide interface. However, silicon devices are still subject to undesired electrical phenomena called "instabilities". These are due mostly to the imperfect nature of the insulators used, to the not-so-perfect silicon-insulator interface and to the generation of defects and ionization phenomena caused by radiation.The problem of instabilities is addressed in this volume, the third of this book series.Vol.3 updates and supplements the material presented in the previous two volumes, and devotes five chapters to the problems of radiation-matter and radiation-device interactions. The volume will aid circuit manufacturers and circuit users alike to relate unstable electrical parameters and characteristics to the presence of physical defects and impurities or to the radiation environment which caused them.
پست ها تصادفی