دانلود کتاب Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices
کتاب دیدگاه ها، علم و فناوری برای سیلیکون جدید در دستگاه های عایق نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب دیدگاه ها، علم و فناوری برای سیلیکون جدید در دستگاه های عایق بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
توضیحاتی در مورد کتاب Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices
نام کتاب : Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : دیدگاه ها، علم و فناوری برای سیلیکون جدید در دستگاه های عایق
سری : NATO Science Series 73
نویسندگان : Michel Bruel (auth.), Peter L. F. Hemment, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov (eds.)
ناشر : Springer Netherlands
سال نشر : 2000
تعداد صفحات : 350
ISBN (شابک) : 9780792361176 , 9789401142618
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 14 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
این جلد شامل مشارکت سخنرانانی است که در کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد "چشم انداز، علم و فناوری برای سیلیکون جدید بر روی دستگاه های عایق" که در آسایشگاه Pushcha OLema، کیف، اوکراین از آن تا 15 اکتبر برگزار شد، شرکت کردند. 1998. این نشست دومین کارگاه آموزشی ناتو در مورد سیلیکون بر روی عایق (SOL) بود که در شرق اوکراین برگزار شد، جایی که اولین جلسه (گورزوف، کریمه، 1 تا 4 نوامبر 1994) بر مشکلات فیزیکی و فنی متمرکز شد تا به منظور رسیدگی به آنها رسیدگی شود. استفاده از مزایای ترکیب مواد sol در فن آوری های دستگاه و حسگر. در این مناسبت بر اولاً، ترویج استفاده از بسترهای sol برای طیف وسیعی از کاربردهای جدید دستگاه ها و مدارها و دوم، پرداختن به مسائل اقتصادی ترکیب فن آوری های پردازش sol و فن‌آوری‌های دستگاه در چارچوب منابع موجود در آزمایشگاه‌ها و کارخانه‌های کشورهای تازه مستقل (NIS) هدف اولیه هر دو کارگاه، شکستن موانعی بوده است که مانع همکاری نزدیک‌تر بین دانشمندان و مهندسان در کشورهای ناتو و کشورهای عضو ناتو می‌شود. NIS. در واقع، برای شرکت کنندگان در اولین جلسه تجدید آشنایی و برای اولین بار شرکت کنندگان برای برقراری تماس های جدید و لذت بردن از مهمان نوازی گرم میزبانان ما در کیف لذت بخش بود. یک نتیجه، ایجاد پیوندهای جدید و پیشنهادهای ملموس برای همکاری های آینده بود.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages i-xxii
Smart-Cut® Technology: Basic Mechanisms and Applications....Pages 1-15
Polish Stop Technology for Silicon on Silicide on Insulator Structures....Pages 17-28
Homoepitaxy on Porous Silicon with a Buried Oxide Layer: Full-Wafer Scale SOI....Pages 29-46
Structural and Electrical Properties of Silicon on Isolator Structures Manufactured on FZ- and CZ-Silicon by Smart-Cut Technology....Pages 47-54
Development of Linear Sequential Lateral Solidification Technique to Fabricate Quasi-Single-Crystal Super-Thin Si Films for High-Performance Thin Film Transistor Devices....Pages 55-61
Low Temperature Polysilicon Technology: A low cost SOI technology? ....Pages 63-74
A Novel Low Cost Process for the Production of Semiconductor Polycrystalline Silicon from Recycled Industrial Waste....Pages 75-84
Tetrahedrally Bonded Amorphous Carbon for Electronic Applications....Pages 85-96
Diamond Based Silicon-on-Insulator Materials and Devices....Pages 97-107
Low-Temperature Processing of Crystalline Si Films on Glass for Electronic Applications....Pages 109-120
β-SiC on SiO 2 Formed by ION Implantation and Bonding for Micromechanics Applications....Pages 121-126
Laser Recrystallized Polysilicon Layers for Sensor Application: Electrical and Piezoresistive Characterization....Pages 127-135
Optical Spectroscopy of SOI Materials....Pages 137-148
Computer Simulation of Oxygen Redistribution in SOI Structures....Pages 149-161
Electrical Instabilities in Silicon-on-Insulator Structures and Devices During Voltage and Temperature Stressing....Pages 163-178
Hydrogen as a Diagnostic Tool in Analysing SOI Structures....Pages 179-186
Back Gate Voltage Influence on the LDD SOI NMOSFET Series Resistance Extraction from 150 to 300 K....Pages 187-193
Characterization of Porous Silicon Layers Containing A Buried Oxide Layer....Pages 195-204
Total-Dose Radiation Response of Multilayer Buried Insulators....Pages 205-212
Recombination Current in Fully-Depleted SOI DIODES: Compact Model and Lifetime Extraction....Pages 213-216
Investigation of the Structural and Chemical Properties of SOI Materials by Ellipsometry....Pages 217-223
Experimental Investigation and Modeling of Coplanar Transmission Lines on SOI Technologies for RF Applications....Pages 225-231
Perspectives of Silicon-on-Insulator Technologies for Cryogenic Electronics....Pages 233-247
SOI CMOS for High-Temperature Applications....Pages 249-256
Quantum Effect Devices on SOI Substrates with an Ultrathin Silicon Layer....Pages 257-268
Wafer Bonding for Micro-ElectroMechanical Systems (MEMS)....Pages 269-280
A Comprehensive Analysis of the High-Temperature Off-State and Subthreshold Characteristics of SOI Mosfets....Pages 281-293
Influence of Silicon Film Parameters on C-V Characteristics of Partially Depleted SOI MOSFETs.....Pages 295-305
Effect of Shallow Oxide Traps on the Low-Temperature Operation of SOI Transistors....Pages 307-313
Nanoscale Wave-Ordered Structures on SOI....Pages 315-320
Thin Partial SOI Power Devices for High Voltage Integrated Circuits....Pages 321-327
Back Matter....Pages 329-344
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
This proceedings volume contains the contributions of the speakers who attended the NATO Advanced Research Workshop on "Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices" held at the Sanatorium Pushcha OLema, Kyiv, th Ukraine from It" to 15 October 1998. This meeting was the second NATO Silicon on Insulator (SOl) Workshop to be held in st the Ukraine where the first meeting (Gurzuf, Crimea, 1 to 4th November 1994) focussed upon the physical and technical problems to be addressed in order to exploit the advantages of incorporating SOl materials in device and sensor technologies. On this occasion emphasis was placed upon firstly, promoting the use of SOl substrates for a range of novel device and circuit applications and secondly, addressing the economic issues of incorporating SOl processing technologies and device technologies within the framework of the resources available within the laboratories and factories of the Newly Independent States (NIS). The primary goal of both workshops has been the breaking of the barriers that inhibit closer collaboration between scientists and engineers in the NATO countries and the NIS. Indeed, it was a pleasure for attendees at the first meeting to renew acquaintances and for the first time attendees to make new contacts and enjoy the warm hospitality offered by our hosts in Kyiv. An outcome was the forging of new links and concrete proposals for future collaborations.