توضیحاتی در مورد کتاب Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors
نام کتاب : Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors
ویرایش : 2013
عنوان ترجمه شده به فارسی : طیفسنجی مجموعه شارژ عکس هیجانزده: بررسی تلهها در ترانزیستورهای اثر میدانی
سری : SpringerBriefs in Physics
نویسندگان : Seongil Im, Youn-Gyoung Chang, Jae Hoon Kim
ناشر : Springer
سال نشر : 2013
تعداد صفحات : 103
ISBN (شابک) : 9400763913 , 9789400763913
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 6 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
انتظار میرود که دستگاههای اثر میدان حالت جامد مانند ترانزیستورهای لایه نازک کانال آلی و معدنی (TFT) پیشرفتهایی را در الکترونیک نمایشگر و حسگر ایجاد کنند. بنابراین، پایداری عملیاتی چنین TFT ها، به شدت به ماهیت و چگالی تله های بار موجود در رابط کانال/دی الکتریک یا در خود کانال لایه نازک، مهم است. این کتاب شامل نحوه توصیف این تله ها است که از فیزیک دستگاه ترانزیستور اثر میدانی (FET) شروع می شود. بر خلاف تکنیکهای آنالیز مرسوم که به دور از نتایج طیفی قابل تفکیک هستند، طیفسنجی جمعآوری بار عکس تحریکشده جدید (PECCS) از پاسخ ولتاژ آستانهای ناشی از عکس از هر نوع دستگاه ترانزیستور کار با آلی، معدنی و غیره استفاده میکند. حتی کانال های نانو که مستقیماً روی تله ها کاوش می کنند. بنابراین، تکنیک ما PECCS از طریق بیش از ده مقاله داوری-ژورنالی در زمینههای الکترونیک دستگاه، فیزیک کاربردی، شیمی کاربردی، نانو دستگاهها و علم مواد مورد بحث قرار گرفته است، و در نهایت نیاز به خلاصه شدن با چندین فصل در یک کتاب کوتاه پیدا شد. . فیزیک دستگاه و ابزار دقیق PECCS به ترتیب در فصل اول و دوم به خوبی مورد توجه قرار گرفته است، برای فصل های بعدی که به کاربردهای واقعی برای FET های آلی، اکسید و نانوساختار می پردازند. این کتاب مزایایی را به همراه خواهد داشت زیرا محتوای آن نه تنها آموزشی و اصولی پایه است، بلکه قابل اجرا و عملیاتی داخلی نیز می باشد.
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Solid state field-effect devices such as organic and inorganic-channel thin-film transistors (TFTs) have been expected to promote advances in display and sensor electronics. The operational stabilities of such TFTs are thus important, strongly depending on the nature and density of charge traps present at the channel/dielectric interface or in the thin-film channel itself. This book contains how to characterize these traps, starting from the device physics of field-effect transistor (FET). Unlike conventional analysis techniques which are away from well-resolving spectral results, newly-introduced photo-excited charge-collection spectroscopy (PECCS) utilizes the photo-induced threshold voltage response from any type of working transistor devices with organic-, inorganic-, and even nano-channels, directly probing on the traps. So, our technique PECCS has been discussed through more than ten refereed-journal papers in the fields of device electronics, applied physics, applied chemistry, nano-devices and materials science, finally finding a need to be summarized with several chapters in a short book. Device physics and instrumentations of PECCS are well addressed respectively, in the first and second chapters, for the next chapters addressing real applications to organic, oxide, and nanostructured FETs. This book would provide benefits since its contents are not only educational and basic principle-supportive but also applicable and in-house operational.