دانلود کتاب Photomodulated Optical Reflectance: A Fundamental Study Aimed at Non-Destructive Carrier Profiling in Silicon
کتاب انعکاس نوری تعدیل شده نوری: یک مطالعه بنیادی با هدف تعیین پروفایل حامل غیر مخرب در سیلیکون نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب انعکاس نوری تعدیل شده نوری: یک مطالعه بنیادی با هدف تعیین پروفایل حامل غیر مخرب در سیلیکون بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Photomodulated Optical Reflectance: A Fundamental Study Aimed at Non-Destructive Carrier Profiling in Silicon
نام کتاب : Photomodulated Optical Reflectance: A Fundamental Study Aimed at Non-Destructive Carrier Profiling in Silicon
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : انعکاس نوری تعدیل شده نوری: یک مطالعه بنیادی با هدف تعیین پروفایل حامل غیر مخرب در سیلیکون
سری : Springer Theses
نویسندگان : Janusz Bogdanowicz (auth.)
ناشر : Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر : 2012
تعداد صفحات : 216
ISBN (شابک) : 9783642301070 , 9783642301087
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 6 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
یکی از مسائل مهم در فناوری نیمه هادی، توصیف دقیق الکتریکی اتصالات بسیار کم عمق است. در میان انبوهی از تکنیک‌های اندازه‌گیری، رویکرد بازتاب نوری توسعه‌یافته در این کار، تنها مفهومی است که نیازی به تماس فیزیکی ندارد و آن را برای اندازه‌شناسی غیرتهاجمی درون خطی مناسب می‌کند. این کار به طور گسترده همه مدل‌های فیزیکی اساسی تکنیک بازتاب نوری تعدیل‌شده نوری را توسعه می‌دهد و رویکردهای جدیدی را معرفی می‌کند که کاربرد آن را از نظارت دز به سمت بازسازی دقیق پروفایل حامل گسترش می‌دهد. این نشان دهنده یک پیشرفت قابل توجه در مترولوژی اتصالات با پتانسیل برای اجرای صنعتی است.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages i-xxiii
Introduction....Pages 1-20
Theory of Perturbation of the Reflectance....Pages 21-37
Theory of Perturbation of the Refractive Index....Pages 39-51
Theory of Carrier and Heat Transport in Homogeneously Doped Silicon....Pages 53-99
Extension of the Transport Theory to Ultra-Shallow Doped Silicon Layers....Pages 101-113
Assessment of the Model....Pages 115-139
Application of the Model to Carrier Profiling....Pages 141-171
Conclusions and Recommendations....Pages 173-178
Back Matter....Pages 179-201
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
One of the critical issues in semiconductor technology is the precise electrical characterization of ultra-shallow junctions. Among the plethora of measurement techniques, the optical reflectance approach developed in this work is the sole concept that does not require physical contact, making it suitable for non-invasive in-line metrology. This work develops extensively all the fundamental physical models of the photomodulated optical reflectance technique and introduces novel approaches that extend its applicability from dose monitoring towards detailed carrier profile reconstruction. It represents a significant breakthrough in junction metrology with potential for industrial implementation.
پست ها تصادفی