دانلود کتاب مدل فناوری پیشبینی برای طراحی نانوالکترونیک قوی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
نام کتاب : Predictive Technology Model for Robust Nanoelectronic Design
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : مدل فناوری پیشبینی برای طراحی نانوالکترونیک قوی
سری : Integrated Circuits and Systems
نویسندگان : Yu Cao (auth.)
ناشر : Springer US
سال نشر : 2011
تعداد صفحات : 190
ISBN (شابک) : 1461404444 , 9781461404446
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 2 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
مدل فناوری پیشبینیکننده برای طراحی نانوالکترونیک قوی، بسیاری از اسرار فنی پشت مدل فناوری پیشبینی (PTM) را توضیح میدهد که در سراسر جهان در تحقیقات طراحی اکتشافی به کار گرفته شده است. از طریق استنتاج فیزیکی و برون یابی فناوری، PTM مدل دستگاه غیر عاملی است که در طراحی الکترونیکی استفاده می شود. این کار توسعه مدل سیستماتیک را توضیح میدهد و راهنمای عمل طراحی قوی در حضور مسائل تنوع و قابلیت اطمینان ارائه میدهد. نویسنده پس از تعامل با چندین شرکت پیشرو نیمه هادی و تیم های تحقیقاتی دانشگاه، دیدگاهی پیشرفته در مورد مقیاس بندی فناوری به این کار ارائه می دهد و بینش های به دست آمده در شیوه های مدل سازی دستگاه را به اشتراک می گذارد.
Predictive Technology Model for Robust Nanoelectronic Design explains many of the technical mysteries behind the Predictive Technology Model (PTM) that has been adopted worldwide in explorative design research. Through physical derivation and technology extrapolation, PTM is the de-factor device model used in electronic design. This work explains the systematic model development and provides a guide to robust design practice in the presence of variability and reliability issues. Having interacted with multiple leading semiconductor companies and university research teams, the author brings a state-of-the-art perspective on technology scaling to this work and shares insights gained in the practices of device modeling.