دانلود کتاب Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
کتاب تحقیق در مورد اثرات تشعشع و مدل فشرده SiGe HBT نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب تحقیق در مورد اثرات تشعشع و مدل فشرده SiGe HBT بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
نام کتاب : Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : تحقیق در مورد اثرات تشعشع و مدل فشرده SiGe HBT
سری : Springer Theses
نویسندگان : Yabin Sun (auth.)
ناشر : Springer Singapore
سال نشر : 2018
تعداد صفحات : 187
ISBN (شابک) : 9789811046117 , 9789811046124
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 9 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
این کتاب در درجه اول بر روی اثرات تشعشع و مدل فشرده ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) (HBT) تمرکز دارد. این مدار معادل سیگنال کوچک SiGe HBT ها را شامل اثرات توزیع شده معرفی می کند و یک تکنیک استخراج تحلیلی مستقیم جدید را بر اساس برازش تابع منطقی غیر خطی پیشنهاد می کند. همچنین اثرات دوز کل تابش شده توسط پرتوهای گاما و یون‌های سنگین، و همچنین گذرا تک رویدادی ناشی از میکروپرتوهای لیزر پالس را نشان می‌دهد. اطلاعات ضروری در مورد تکنیک اثرات تابش و مدل SiGe HBTs با استفاده از آن تکنیک را به خوانندگان ارائه می دهد.
فهرست مطالب :
Front Matter ....Pages i-xxiv
Introduction (Yabin Sun)....Pages 1-24
Ionization Damage Effect in SiGe HBT (Yabin Sun)....Pages 25-56
Displacement Effects in SiGe HBT (Yabin Sun)....Pages 57-92
Single Event Transients in SiGe HBT (Yabin Sun)....Pages 93-116
Small-Signal Equivalent Circuit for SiGe HBT Based on Distributed Network (Yabin Sun)....Pages 117-132
Parameter Extraction of SiGe HBTs (Yabin Sun)....Pages 133-163
Summary (Yabin Sun)....Pages 165-168
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.