دانلود کتاب فیزیک و شبیه سازی دستگاه نیمه هادی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
نام کتاب : Semiconductor Device Physics and Simulation
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : فیزیک و شبیه سازی دستگاه نیمه هادی
سری : Microdevices
نویسندگان : J. S. Yuan, J. J. Liou (auth.)
ناشر : Springer US
سال نشر : 1998
تعداد صفحات : 341
ISBN (شابک) : 9781489919069 , 9781489919045
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 11 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
ظهور فناوری میکروالکترونیک باعث شده است که تعداد دستگاههای کوچک روی یک تراشه روز به روز افزایش یابد. ظهور سریع فناوری یکپارچه مقیاس بزرگ (ULSI) ابعاد دستگاه را به رژیم زیر چهارم میکرون منتقل کرده و بیش از 10 میلیون ترانزیستور را روی یک تراشه واحد قرار داده است. در حالی که مدلهای تحلیلی با فرم بسته سنتی، شهود مفیدی را در مورد نحوه رفتار دستگاههای نیمهرسانا ارائه میدهند، آنها دیگر نتایج دقیقی را برای همه حالتهای عملکرد این دستگاههای بسیار کوچک ارائه نمیدهند. دلیل آن این است که در چنین دستگاههایی، مکانیسمهای فیزیکی مختلف بر عملکرد دستگاه به شکل پیچیدهای تأثیر میگذارند و فرضیات مرسوم (به عنوان مثال، درمان یک بعدی، تزریق سطح پایین، تقریب شبه استاتیک و غیره) در توسعه استفاده میشوند. مدل های تحلیلی مشکوک می شوند. بنابراین، استفاده از شبیهسازی دستگاه عددی در مدلسازی دستگاه اهمیت پیدا میکند. محققان و مهندسان حتی بیشتر بر شبیه سازی دستگاه برای طراحی و تجزیه و تحلیل دستگاه در آینده تکیه خواهند کرد. این کتاب پوشش جامعی از شبیه سازی و تجزیه و تحلیل دستگاه برای دستگاه های نیمه هادی مودم های مختلف ارائه می دهد. این به عنوان مرجعی برای محققان، مهندسان و دانشجویانی خواهد بود که به اطلاعات عمیق و بهروز و درک فیزیک و ویژگیهای دستگاه نیمهرسانا نیاز دارند. مواد این کتاب محدود به دستگاه های نیمه هادی معمولی و رایج است. دستگاههای فوتونیک مانند ساطع نور و دیودهای لیزر شامل مدلسازی دستگاه، ساخت دستگاه و برنامههای مدار نمیشود.
The advent of the microelectronics technology has made ever-increasing numbers of small devices on a same chip. The rapid emergence of ultra-large-scaled-integrated (ULSI) technology has moved device dimension into the sub-quarter-micron regime and put more than 10 million transistors on a single chip. While traditional closed-form analytical models furnish useful intuition into how semiconductor devices behave, they no longer provide consistently accurate results for all modes of operation of these very small devices. The reason is that, in such devices, various physical mechanisms affect the device performance in a complex manner, and the conventional assumptions (i. e. , one-dimensional treatment, low-level injection, quasi-static approximation, etc. ) em ployed in developing analytical models become questionable. Thus, the use of numerical device simulation becomes important in device modeling. Researchers and engineers will rely even more on device simulation for device design and analysis in the future. This book provides comprehensive coverage of device simulation and analysis for various modem semiconductor devices. It will serve as a reference for researchers, engineers, and students who require in-depth, up-to-date information and understanding of semiconductor device physics and characteristics. The materials of the book are limited to conventional and mainstream semiconductor devices; photonic devices such as light emitting and laser diodes are not included, nor does the book cover device modeling, device fabrication, and circuit applications.