Semiconductor-laser fundamentals: physics of the gain materials

دانلود کتاب Semiconductor-laser fundamentals: physics of the gain materials

دسته: فیزیک

44000 تومان موجود

کتاب اصول نیمه هادی-لیزر: فیزیک مواد افزایشی نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب اصول نیمه هادی-لیزر: فیزیک مواد افزایشی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 7


توضیحاتی در مورد کتاب Semiconductor-laser fundamentals: physics of the gain materials

نام کتاب : Semiconductor-laser fundamentals: physics of the gain materials
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : اصول نیمه هادی-لیزر: فیزیک مواد افزایشی
سری :
نویسندگان : ,
ناشر : Springer
سال نشر : 1999
تعداد صفحات : 127
ISBN (شابک) : 9783540641667 , 3540641661
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 15 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :


این کتاب یک بحث عمیق در مورد محیط بهره نیمه هادی لیزری ارائه می دهد. خواص نوری و الکترونیکی نیمه هادی ها، به ویژه سیستم های چاه کوانتومی نیمه هادی، با جزئیات مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند و طیف گسترده ای از سیستم های نزدیک به مادون قرمز را با یا بدون کرنش، و همچنین مواد با شکاف وسیع مانند ترکیبات نیترید گروه III یا ترکیبات نیترید را پوشش می دهند. مواد II-VI تغییرات مهم ساختار نواری و اثرات متقابل کولن مورد بحث قرار می‌گیرند، از جمله راه‌حل مشکل قدیمی شکل خط لیزر نیمه‌رسانا. مقایسه‌های کمی بین طیف‌های اندازه‌گیری شده و پیش‌بینی‌شده جذب/جذب و ضریب شکست برای طیف گسترده‌ای از مواد نیمه‌رسانا-لیزر، نتایج نظری را قادر می‌سازد که مستقیماً در مهندسی ساختارهای لیزر پیشرفته و تقویت‌کننده استفاده شوند. انبوهی از مثال‌ها برای بسیاری از ترکیب‌های مواد مختلف، ارزش کمی و پیش‌بینی‌کننده‌ای به کتاب برای کاربردهای متنوع می‌دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


This book presents an in-depth discussion of the semiconductor-laser gain medium. The optical and electronic properties of semiconductors, particularly semiconductor quantum-well systems, are analzyed in detail, covering a wide variety of near-infrared systems with or without strain, as well as wide-gap materials such as the group-III nitride compounds or the II-VI materials. The important bandstructure modifications and Coulomb interaction effects are discussed, including the solution of the longstanding semiconductor laser lineshape problem. Quantitative comparisons between measured and predicted gain/absorption and refractive index spectra for a wide variety of semiconductor-laser materials enable the theoretical results to be used directly in the engineering of advanced laser and amplifier structures. A walth of examples for many different material combinations bestow the book with quantitative and predictive value for a wide variety of applications.



پست ها تصادفی