دانلود کتاب Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures
دسته: الکترونیک: رادیو
کتاب لایه ها و ساختارهای ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب لایه ها و ساختارهای ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
توضیحاتی در مورد کتاب Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures
نام کتاب : Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures
ویرایش : 2
عنوان ترجمه شده به فارسی : لایه ها و ساختارهای ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم
سری : Semiconductors and Semimetals 74
نویسندگان : S.C. Jain and M. Willander (Eds.)
ناشر : Elsevier, Academic Press
سال نشر : 2003
تعداد صفحات : 325
ISBN (شابک) : 0127521836 , 9780080541020
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 16 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
مطالعه سیلیکون ژرمانیوم لایه‌های کرنش‌شده پیامدهای گسترده‌ای برای دانشمندان و مهندسان مواد، به‌ویژه کسانی که روی طراحی و مدل‌سازی دستگاه‌های نیمه‌رسانا کار می‌کنند، دارد. از زمان انتشار جلد اصلی در سال 1994، جریان ثابتی از ایده‌های جدید، درک جدید، ساختارهای جدید سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) و دستگاه‌های جدید با عملکرد پیشرفته وجود داشته است. ویرایش دوم لایه‌ها و ساختارهای ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم که هم برای دانشجویان و هم برای محققین ارشد نوشته شده است، به‌روزرسانی اساسی این موضوع مهم را ارائه می‌کند و به ویژه پیشرفت‌های اخیر در فناوری و مدل‌سازی را توصیف می‌کند. * ویرایش دوم کاملاً اصلاح شده و به روز شده که دستاوردهای مهم اخیر و بررسی کامل ادبیات را در خود جای داده است * کتابشناسی گسترده بیش از 400 مقاله یک نمای کلی جامع و منسجم از موضوع ارائه می دهد * مناسب برای دانشجویان و محققان ارشد
فهرست مطالب :
Content:
Preface to the first edition
Pages xi-xii
S.C. Jain
Preface to the second edition
Pages xiii-xiv
S.C. Jain, M. Willander
Chapter 1 Introduction
Pages 1-7
Chapter 2 Strain, stability, reliability and growth Original Research Article
Pages 9-40
Chapter 3 Mechanism of strain relaxation Original Research Article
Pages 41-60
Chapter 4 Strain, growth, and TED in SiGeC layers Original Research Article
Pages 61-90
Chapter 5 Bandstructure and related properties Original Research Article
Pages 91-145
Chapter 6 Heterostructure bipolar transistors Original Research Article
Pages 147-194
Chapter 7 FETs and other devices Original Research Article
Pages 195-241
Bibliography
Pages 243-280
Index
Pages 281-285
Contents of volumes
Pages 287-308
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
The study of Silicone Germanium strained layers has broad implications for material scientists and engineers, in particular those working on the design and modelling of semi-conductor devices. Since the publication of the original volume in 1994, there has been a steady flow of new ideas, new understanding, new Silicon-Germanium (SiGe) structures and new devices with enhanced performance. Written for both students and senior researchers, the 2nd edition of Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures provides an essential up-date of this important topic, describing in particular the recent developments in technology and modelling. * Fully-revised and updated 2nd edition incorporating important recent breakthroughs and a complete literature review* The extensive bibliography of over 400 papers provides a comprehensive and coherent overview of the subject* Appropriate for students and senior researchers
پست ها تصادفی