Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation

دانلود کتاب Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation

60000 تومان موجود

کتاب خاطرات غیر فرار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب خاطرات غیر فرار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 10


توضیحاتی در مورد کتاب Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation

نام کتاب : Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : خاطرات غیر فرار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری
سری :
نویسندگان :
ناشر : Wiley-ISTE
سال نشر : 2009
تعداد صفحات : 248
ISBN (شابک) : 1848211058 , 9781848211056
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 7 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :


این کتاب یک مرور کلی از رویکردهای مختلف تکنولوژیکی که در حال حاضر برای برآوردن نیازهای حافظه آینده مورد مطالعه قرار گرفته اند، ارائه می دهد. دو مسیر اصلی تحقیق شناسایی و مورد بحث قرار می گیرد. "مسیرهای تکاملی" مختلف بر اساس مواد جدید و ساختارهای ترانزیستوری جدید برای گسترش فناوری دروازه شناور کلاسیک به گره 32 نانومتری بررسی شده‌اند. "مسیرهای مخرب" نیز پوشش داده شده است و به نسل های IC 22 نانومتری و کوچکتر می پردازد. در نهایت، عوامل اصلی منشأ این پدیده ها شناسایی و تجزیه و تحلیل می شوند و نکاتی را در مورد فعالیت های تحقیقاتی آینده و تحولات در این زمینه ارائه می دهند.


توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different “evolutionary paths” based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. “Disruptive paths” are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.



پست ها تصادفی