دانلود کتاب Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications
کتاب اثر کرنش در نیمه هادی ها: نظریه و کاربردهای دستگاه نسخه زبان اصلی
دانلود کتاب اثر کرنش در نیمه هادی ها: نظریه و کاربردهای دستگاه بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
توضیحاتی در مورد کتاب Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications
نام کتاب : Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : اثر کرنش در نیمه هادی ها: نظریه و کاربردهای دستگاه
سری :
نویسندگان : Yongke Sun, Scott E. Thompson, Toshikazu Nishida (auth.)
ناشر : Springer US
سال نشر : 2010
تعداد صفحات : 346
ISBN (شابک) : 9781441905512 , 9781441905529
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 10 مگابایت
بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.
توضیحاتی در مورد کتاب :
اثر کرنش در نیمه هادی ها: تئوری و کاربردهای دستگاه اصول و کاربردهای کرنش در نیمه هادی ها و دستگاه های نیمه هادی را ارائه می دهد که برای فناوری پیشرفته CMOS با کرنش و MEMS پیزومقاومتی مبتنی بر کرنش مرتبط است. مبدل ها این کتاب کاربردهای مرتبط کرنش را مورد بحث قرار می‌دهد و در عین حال بر روی فیزیک بنیادی تمرکز می‌کند، زیرا آنها مربوط به نانو دستگاه‌های حجیم، مسطح و مقیاس‌شده هستند. نویسندگان اصلی یونگکه سان، اسکات تامپسون و توشیکازو نیشیدا نیز:
- درمان فیزیک کرنش در سطح کیفی کلی و همچنین ارائه مبانی مفصل
- توضیح فیزیک کرنش مرتبط با منطق دستگاه‌ها و همچنین MEMS مبتنی بر کرنش
این کتاب با فناوری منطقی Si strained فعلی و همچنین برای درک فیزیک و مقیاس‌بندی دستگاه‌های در مقیاس نانو کرنش در آینده مرتبط است. این برای مهندسین دستگاه در سازندگان نیمه هادی و همچنین دانشجویان فارغ التحصیل در حال تحصیل در رشته فیزیک دستگاه در دانشگاه ها بسیار مناسب است.
فهرست مطالب :
Front Matter....Pages 1-10
Overview: The Age of Strained Devices....Pages 1-6
Front Matter....Pages 8-8
Stress, Strain, Piezoresistivity, and Piezoelectricity....Pages 9-21
Strain and Semiconductor Crystal Symmetry....Pages 23-49
Band Structures of Strained Semiconductors....Pages 51-135
Low-Dimensional Semiconductor Structures....Pages 137-182
Front Matter....Pages 184-184
Semiconductor Transport....Pages 185-232
Front Matter....Pages 234-234
Strain in Electron Devices....Pages 235-266
Piezoresistive Strain Sensors....Pages 267-290
Strain Effects on Optoelectronic Devices....Pages 291-325
Back Matter....Pages 1-23
توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :
Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications presents the fundamentals and applications of strain in semiconductors and semiconductor devices that is relevant for strain-enhanced advanced CMOS technology and strain-based piezoresistive MEMS transducers. The book discusses relevant applications of strain while also focusing on the fundamental physics as they pertain to bulk, planar, and scaled nano-devices. Lead authors Yongke Sun, Scott Thompson and Toshikazu Nishida also:
- Treat strain physics at both the qualitative overview level as well as provide detailed fundamentals
- Explain strain physics relevant to logic devices as well as strain-based MEMS
This book is relevant to current strained Si logic technology, as well as for understanding the physics and scaling of future strain nano-scale devices. It is perfect for practicing device engineers at semiconductor manufacturers, as well as graduate students studying device physics at universities.
پست ها تصادفی