Transport Studies of the Electrical, Magnetic and Thermoelectric properties of Topological Insulator Thin Films

دانلود کتاب Transport Studies of the Electrical, Magnetic and Thermoelectric properties of Topological Insulator Thin Films

42000 تومان موجود

کتاب مطالعات حمل و نقل خواص الکتریکی، مغناطیسی و ترموالکتریک لایه های نازک عایق توپولوژیکی نسخه زبان اصلی

دانلود کتاب مطالعات حمل و نقل خواص الکتریکی، مغناطیسی و ترموالکتریک لایه های نازک عایق توپولوژیکی بعد از پرداخت مقدور خواهد بود
توضیحات کتاب در بخش جزئیات آمده است و می توانید موارد را مشاهده فرمایید


این کتاب نسخه اصلی می باشد و به زبان فارسی نیست.


امتیاز شما به این کتاب (حداقل 1 و حداکثر 5):

امتیاز کاربران به این کتاب:        تعداد رای دهنده ها: 11


توضیحاتی در مورد کتاب Transport Studies of the Electrical, Magnetic and Thermoelectric properties of Topological Insulator Thin Films

نام کتاب : Transport Studies of the Electrical, Magnetic and Thermoelectric properties of Topological Insulator Thin Films
ویرایش : 1
عنوان ترجمه شده به فارسی : مطالعات حمل و نقل خواص الکتریکی، مغناطیسی و ترموالکتریک لایه های نازک عایق توپولوژیکی
سری : Springer Theses
نویسندگان :
ناشر : Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر : 2016
تعداد صفحات : 128
ISBN (شابک) : 9783662499276 , 9783662499252
زبان کتاب : English
فرمت کتاب : pdf
حجم کتاب : 6 مگابایت



بعد از تکمیل فرایند پرداخت لینک دانلود کتاب ارائه خواهد شد. درصورت ثبت نام و ورود به حساب کاربری خود قادر خواهید بود لیست کتاب های خریداری شده را مشاهده فرمایید.

توضیحاتی در مورد کتاب :




این کتاب مطالعات حمل و نقل لایه های نازک عایق توپولوژیکی رشد یافته توسط اپیتاکسی پرتو مولکولی را ارائه می دهد. از طریق مهندسی ساختار نواری، عایق‌های توپولوژیکی ایده‌آل، آلیاژهای سه تایی (Bi1-xSbx)2Te3، با موفقیت ساخته می‌شوند که دارای حالت‌های سطح رسانای توده‌ای واقعاً عایق و قابل تنظیم هستند. اندازه‌گیری‌های حمل‌ونقل بیشتر روی این آلیاژهای سه‌تایی، گسستگی بین خواص مغناطیسی و ترموالکتریک را نشان می‌دهد. در عایق های توپولوژیکی دوپ شده مغناطیسی، اثر هال غیرعادی کوانتومی جذاب برای اولین بار به صورت تجربی مشاهده شد. علاوه بر این، انتقال فاز کوانتومی مغناطیسی مبتنی بر توپولوژی به طور سیستماتیک با تغییر قدرت جفت اسپین-اوربیتال کنترل شد. خوانندگان نه تنها از توصیف تکنیک اندازه گیری حمل و نقل بهره مند می شوند، بلکه از درک عایق های توپولوژیکی نیز الهام می گیرند.


فهرست مطالب :


Front Matter....Pages i-xvi
Introduction....Pages 1-21
Experimental Setup and Methods....Pages 23-37
Band Structure Engineering in TIs....Pages 39-53
Topology-Driven Magnetic Quantum Phase Transition....Pages 55-86
Quantum Anomalous Hall Effect....Pages 87-98
Dichotomy Between Electrical and Thermoelectric Properties....Pages 99-108
Concluding Remarks....Pages 109-110
Back Matter....Pages 111-116

توضیحاتی در مورد کتاب به زبان اصلی :


This book presents the transport studies of topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy. Through band structure engineering, the ideal topological insulators, (Bi1−xSbx)2Te3 ternary alloys, are successfully fabricated, which possess truly insulating bulk and tunable conducting surface states. Further transport measurements on these ternary alloys reveal a disentanglement between the magnetoelectric and thermoelectric properties. In magnetically doped topological insulators, the fascinating quantum anomalous Hall effect was experimentally observed for the first time. Moreover, the topology-driven magnetic quantum phase transition was Systematically controlled by varying the strength of the spin-orbital coupling. Readers will not only benefit from the description of the technique of transport measurements, but will also be inspired by the understanding of topological insulators.




پست ها تصادفی